STDRIVEG610·STDRIVEG611, 전력 변환 및 모션 제어 효율·신뢰성 대폭 향상
세계적인 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 GaN(Gallium Nitride) 기반 전자 애플리케이션의 효율성과 견고성을 한층 높여줄 고전압 하프 브리지 게이트 드라이버 신제품 STDRIVEG610과 STDRIVEG611을 출시했다고 19일 밝혔다.
이번에 선보인 두 제품은 컨슈머 및 산업용 전력 변환, 모션 제어 등 다양한 분야에서 GaN 디바이스를 효과적으로 관리할 수 있도록 설계됐다. 설계자는 이 제품을 통해 시스템의 전력 효율, 전력 밀도, 견고성을 크게 개선할 수 있다.
STDRIVEG610은 300ns의 매우 빠른 시동 시간을 구현해 LLC, ACF 등 컨버터 토폴로지에 최적화됐으며, 버스트 모드에서의 정밀한 제어가 가능하다. 반면, STDRIVEG611은 모션 제어 분야의 하드 스위칭 환경에 특화됐으며, 하이 사이드 UVLO 및 스마트 셧다운 과전류 보호 등 다양한 보호 기능을 제공한다.
두 제품 모두 인터로킹 기능을 내장해 하드 및 소프트 스위칭 토폴로지에 폭넓게 적용할 수 있으며, STDRIVEG610은 전원 어댑터, 충전기, 역률 보정 회로(PFC) 등의 성능을, STDRIVEG611은 가전제품, 펌프, 압축기, 산업용 드라이브 등에서의 효율성과 신뢰성을 크게 높인다.
설계 간소화를 위해 두 디바이스는 하이 사이드 부트스트랩 다이오드와 고전류 용량의 6V 레귤레이터를 통합했으며, 10ns 이내의 정밀한 전파 지연 특성을 자랑한다. 또한, 독립된 싱크 및 소스 경로와 통합 UVLO 보호, 과열 보호, 높은 dV/dt 내성(±200V/ns) 등 다양한 안전 기능을 갖췄다. 입력 전압 범위도 3.3V~20V로 넓어 다양한 컨트롤러와의 호환성을 지원한다.
STDRIVEG610과 STDRIVEG611은 4mm x 5mm의 소형 QFN 패키지로 제공돼 보드 공간 절감과 부품 원가(BOM) 절감 효과를 동시에 누릴 수 있다. 두 제품 모두 현재 양산 중이며, 1,000개 기준 단가는 $1.56부터 시작한다.
한편, ST는 개발자 지원을 위해 EVLSTDRIVEG610Q 및 EVLSTDRIVEG611 평가 보드도 함께 출시했다. 이 평가 보드는 600V 고속 하프 브리지 게이트 드라이버와 ST의 SGT120R65AL GaN HEMT 소자 2개가 포함되어 있어, 신제품의 빠른 평가와 개발을 지원한다.
