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TI, 100V GaN 전력계 제품으로 국내 반도체 기업 전력밀도 지원한다

신주용 TI코리아 기술지원팀 이사는 최근의 반도체 팹에서 필요한 전력 수준이 높아지고 있다. TI가 새롭게 출시한 100V 질화갈륨(GaN) 전력계 제품들을 바탕으로 국내 반도체 고객사가 전력 밀도를 개선할 수 있도록 지원하겠다고 말했다

신주용 TI 이사, “100V GaN 전력계로 고객사가 전력 밀도를 개선할 수 있도록 지원하겠다”

TI, 100V GaN 전력계 제품으로 국내 반도체 기업 전력밀도 지원한다
TI 코리아 신주용 이사는 열 강화 패키지 기술이 적용된 100V GaN 전력계로 국내 반도체 기업들의 선결과제인 전력 밀도 향상을 지원하겠다고 밝혔다

텍사스 인스트루먼트(TI)는 지난 3월 5일 인터콘티넨탈호텔 파르나스에서 미디어 브리핑을 통해 엔지니어가 더 작은 크기의 디바이스에서 더 많은 전력을 달성하고 더 낮은 비용으로 최고의 전력 밀도를 제공할 수 있도록 지원하는 두 가지 새로운 전력 변환 장치를 국내에 소개했다.

TI의 새로운 100V 통합 질화 갈륨(GaN) 전력계는 열적으로 향상된 양면 냉각 패키지 기술을 사용하여 열 설계를 간소화하고 중전압 애플리케이션에서 1.5kW/in3 이상의 최고 전력 밀도를 달성할 수 있다.

변압기가 통합된 TI의 새로운 1.5W 절연 DC/DC 모듈은 업계에서 가장 작고 전력 밀도가 높아 엔지니어가 차량용 및 산업용 시스템에서 절연 바이어스 전원 공급 디바이스 크기를 89% 이상 줄일 수 있다.

신주용 TI코리아 기술지원팀 이사는 “(최근의) 반도체 팹에서 필요한 전력 수준이 높아지고 있다. TI가 새롭게 출시한 100V 질화갈륨(GaN) 전력계 제품들을 바탕으로 국내 반도체 고객사가 전력 밀도를 개선할 수 있도록 지원하겠다.”고 전했다.

100V GaN 포트폴리오에서 열 성능의 핵심 요소인 TI의 열적으로 강화된 양면 냉각 패키지로 디바이스 양쪽에서 더 효율적으로 열을 제거할 수 있으며 타사의 통합 GaN 장치에 비해 향상된 열 저항을 제공한다.

TI의 새로운 1.5W 절연 DC/DC 모듈은 개별 솔루션 대비 8배 이상, 타사 모듈보다 3배 이상 높은 전력 밀도를 제공해 차량용 및 산업용 시스템을 위한 최고 출력 전력과 절연 기능(3kV)을 4mm×5mm의 VSON(very thin small outline no-lead, 매우 얇은 소형 아웃라인 무연) 패키지로 구현한다.

엔지니어는 TI의 UCC33420-Q1 및 UCC33420을 사용하여 더 적은 수의 부품과 간단한 필터 설계로 CISPR(Comité International Spécial des Perturbations Radioélectriques) 32 및 25와 같은 엄격한 전자파 간섭(EMI) 요구 사항을 쉽게 충족할 수 있다.

새로운 모듈은 바이어스 전원 공급 장치 설계에서 외부 변압기가 필요 없는 TI의 차세대 통합 변압기 기술로 엔지니어는 솔루션 크기를 89% 이상 축소하고 높이를 최대 75%까지 줄이면서 개별 솔루션 대비 재료 사양서를 절반으로 줄일 수 있다.

TI는 엔지니어가 최고의 전력 밀도, 효율성 및 열 성능을 제공하는 데 도움이 되는 혁신을 제공함으로써 전력 관리의 한계를 계속 확장할 수 있게 됐다고 설명했다.

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