스파이킹이 감소된 고효율 스위칭의 LFPAK56 및 LFPAK88패키징
핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아(Nexperia)가 LFPAK56E만 제공되었던 NextPower 80/100V MOSFET 포트폴리오에 대한 패키지 옵션에 LFPAK56 및 LFPAK88을 추가한다고 발표했다. 이 소자들은 통신, 서버 컴퓨팅, 산업, 전원 공급 장치, 고속 충전, USB-PD 및 모터 제어 응용 제품에서 감소된 스파이크 동작과 높은 효율을 결합하도록 설계된 제품들이다.
Qg*RDSon 성능 지수는 MOSFET 스위치의 효율성 향상을 목표로 하는 반도체 제조업체들의 오래된 과제였다. 그러나 이 수치를 계속 낮추면 MOSFET스위치를 켜거나 끌 때 스파이크 레벨이 증가함으로 인해 생성되는 전자기 간섭(EMI)의 양이 커지는 의도하지 않은 결과가 발생되었었다.
넥스페리아는 Qrr(역회복 전하)이 낮아진 NextPower 80/100V MOSFET제품들의 출시에 성공했다. 이 소자들은 스위칭 전환 시 스파이크의 양을 크게 줄이면서 경쟁사들의 MOSFET제품들과 동일한 고효율 성능을 유지하는 동시에 EMI를 더 낮춰주는 특징이 있다.
넥스페리아측은 “이러한 고효율, 저스파이크 NextPower 80/100V MOSFET제품들을 새로운 LFPAK56 및 LFPAK88패키지로 제공함으로써 설계자가 이 칩의 응용 제품 크기를 줄이면서도 구리 클립 패키징의 견고성을 높일 수 있다.”며, “이로써 설계 엔지니어 및 고객들은 기존 설계에 대한 추가 소스를 검증하는 새로운 옵션을 갖게 되었다.”고 밝혔다.
아이씨엔매거진
