ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 높은 전류 출력과 45ns의 전파지연을 갖춘 STDRIVEG600 하프-브리지 게이트 드라이버를 출시했다. 이 디바이스는 하이-사이드 및 로우-사이드 간의 출력이 밀접하게 매칭됐으며, GaN 인핸스먼트-모드(Enhancement-Mode) FET의 고주파수 스위칭을 처리할 수 있다.
STDRIVEG600은 최대 20V에서 N-채널 실리콘 MOSFET를 구동하는 데도 적합하기 때문에 GaN 디바이스에 최대 6V의 게이트 소스 전압을 유연하게 인가하여 낮은 Rds(on)을 보장한다. 통합 부트스트랩 회로를 갖춰 부품원가(Bill of Materials)를 최소화하고 보드 레이아웃을 간소화하는데 도움을 준다.
STDRIVEG600은 고전압 PFC, DC/DC 및 DC/AC 컨버터, 스위칭 모드 전원공급장치, UPS 시스템, 태양광 발전기, 가전제품용 모터 드라이버, 공장 자동화 및 산업용 드라이브와 같은 애플리케이션에 적합하다.
이 회로는 동기식 MOSFET을 사용해 부트스트랩 전압이 로직 공급전압, VCC에 도달하게 함으로써 드라이버가 LDO(Low-Dropout Regulator)를 사용하지 않고도 단일 전원에서 동작하게 해준다.
±200V/ns의 dV/dt 내성을 갖춘 STDRIVEG600은 까다로운 전기 조건에서도 신뢰할 수 있는 게이트 제어를 보장한다. 로직 입력은 3.3V까지 CMOS/TTL과 호환돼 호스트 마이크로컨트롤러나 DSP와 쉽게 인터페이스 하도록 지원한다. 하이-사이드 영역은 최대 600V까지 견디므로 최대 500V의 고전압 버스를 가진 애플리케이션에 사용할 수 있다.
