ST마이크로일렉트로닉스, 산업 및 홈 자동화 지원 단일칩 GaN 게이트 드라이버 출시-아이씨엔매거진

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 높은 전류 출력과 45ns의 전파지연을 갖춘 STDRIVEG600 하프-브리지 게이트 드라이버를 출시했다. 이 디바이스는 하이-사이드 및 로우-사이드 간의 출력이 밀접하게 매칭됐으며, GaN 인핸스먼트-모드(Enhancement-Mode) FET의 고주파수 스위칭을 처리할 수 있다.

STDRIVEG600은 최대 20V에서 N-채널 실리콘 MOSFET를 구동하는 데도 적합하기 때문에 GaN 디바이스에 최대 6V의 게이트 소스 전압을 유연하게 인가하여 낮은 R_ds(on)을 보장한다. 통합 부트스트랩 회로를 갖춰 부품원가(Bill of Materials)를 최소화하고 보드 레이아웃을 간소화하는데 도움을 준다.

STDRIVEG600은 고전압 PFC, DC/DC 및 DC/AC 컨버터, 스위칭 모드 전원공급장치, UPS 시스템, 태양광 발전기, 가전제품용 모터 드라이버, 공장 자동화 및 산업용 드라이브와 같은 애플리케이션에 적합하다.

이 회로는 동기식 MOSFET을 사용해 부트스트랩 전압이 로직 공급전압, VCC에 도달하게 함으로써 드라이버가 LDO(Low-Dropout Regulator)를 사용하지 않고도 단일 전원에서 동작하게 해준다.

±200V/ns의 dV/dt 내성을 갖춘 STDRIVEG600은 까다로운 전기 조건에서도 신뢰할 수 있는 게이트 제어를 보장한다. 로직 입력은 3.3V까지 CMOS/TTL과 호환돼 호스트 마이크로컨트롤러나 DSP와 쉽게 인터페이스 하도록 지원한다. 하이-사이드 영역은 최대 600V까지 견디므로 최대 500V의 고전압 버스를 가진 애플리케이션에 사용할 수 있다.