인텔은 전자소자학회(IEDM)에서 인텔의 미래 반도체 공정 로드맵을 지원할 획기적인 트랜지스터 확장 기술 및 연구개발(R&D) 성과를 발표했다.

핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아(Nexperia)가 30A NGW30T60M3DF를 출시하고, 600V 소자 범위의 절연 게이트 양극 트랜지스터(IGBT) 시장에 진출했다.

지능형 전력 및 센싱 기술의 선두 기업인 온세미는 아리(ARRI)의 알렉사(ALEXA) 35 카메라용 맞춤형 고급 CMOS 센서를 개발했다고 발표했다.

램리서치가 자동차, 전력 송배전, 에너지 부문 등에서 사용되는 차세대 전력 소자와 전력관리 집적 회로를 개발하는 반도체 제조 기업들이 딥 실리콘 식각(Deep Silicon Etch)을 구현할 수 있는 Syndion GP를 출시했다.

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 높은 전류 출력과 45ns의 전파지연을 갖춘 STDRIVEG600 하프-브리지 게이트 드라이버를 출시했다.

EV Group (EVG), a leading supplier of wafer bonding and lithography equipment for the MEMS, nanotechnology and semiconductor markets, introduced the EVG®320 D2W die preparation and activation system—the industry's first commercially available hybrid bond activation and cleaning system for die-to-wafer (D2W) bonding.