인피니언, 새로운 CoolSiC™ MOSFET 1200V M1H 기술 발표-아이씨엔매거진

태양광 에너지 시스템 인버터, 급속 EV 충전, 에너지 저장 시스템 등 산업용 애플리케이션에 적합

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 태양광 에너지 시스템 인버터, 급속 EV 충전, 에너지 저장 시스템 등 산업용 애플리케이션에 적합한 새로운 CoolSiC™ 기술인 CoolSiC™ MOSFET 1200V M1H를 발표했다. 첨단 실리콘 카바이드(SiC) 칩은 널리 사용되는 다양한 Easy 모듈 제품군에 적용될 뿐만 아니라 .XT 인터커넥트 기술을 적용한 디스크리트 패키지로도 제공될 예정이다.

CoolSiC 베이스 기술의 최신 발전은 더 큰 게이트 동작 범위를 가능하게 하여 주어진 다이 크기로 온 저항을 향상시킨다. 또한 더 큰 게이트 동작 범위는 높은 스위칭 주파수에서도 어떠한 제한 없이 게이트에서 드라이버나 레이아웃 관련 전압 피크에 대해 높은 견고성을 제공한다. M1H 칩 기술은 다양한 패키지 옵션으로 제공되므로 설계 엔지니어가 전력 밀도를 높이거나 애플리케이션 성능을 높이고자 하는 것에 따라서 적합한 제품을 선택할 수 있다.

널리 사용되는 Easy 제품군에 M1H를 적용해서 Easy 1B 및 2B 모듈을 더욱 향상시키게 되었으며, 새로운 1200V CoolSiC MOSFET을 적용한 Easy 3B 모듈도 출시 예정이다. 새로운 칩 크기를 추가함으로써 설계 유연성을 높이고 업계에서 가장 다양한 제품 포트폴리오를 제공하게 되었다. M1H 칩을 사용해서 모듈의 온 저항을 크게 향상시키고 디바이스 신뢰성과 효율을 높일 수 있게 되었다.

CoolSiC MOSFET 1200V M1H 포트폴리오는 TO247-3과 TO247-4 패키지로 온 저항이 매우 낮은 7mΩ, 14mΩ, 20mΩ 디스크리트 제품들을 포함한다. 이들 디바이스는 디자인-인이 쉽고, -10V에 이르는 최대 네거티브 게이트-소스 전압이 가능하므로 게이트 전압 오버슈트 및 언더슈트에 있어서 유리하며, 애벌랜치(avalanche) 및 단락 회로 보호 기능을 포함한다.

인피니언의 .XT 인터커넥트 기술은 이미 D2PAK-7L 패키지에 적용되었으며, 이제 TO 풋프린트에도 적용된다. 이 기술은 표준 인터커넥션에 비해 열 방출 능력을 30퍼센트 이상 향상시킨다. 이 열적 이점은 출력 전력을 15퍼센트까지 높일 수 있다. 또는 스위칭 주파수를 높임으로써 전기차 충전, 에너지 저장, 태양광 시스템 등에서 수동 부품을 줄일 수 있으며, 그럼으로써 전력 밀도를 높이고 시스템 비용을 낮출 수 있다. 시스템 동작 조건을 바꾸지 않고서도 .XT 기술이 SiC MOSFET 접합부 온도를 낮추어 전원 사이클링 성능을 향상시키고 시스템 수명을 늘린다. 이 점은 서보 드라이브 같은 애플리케이션에서 중요하다.

추가 정보는 www.infineon.com/sic-mosfet에서 볼 수 있다.