중국 메모리칩 제조사, ACM 리서치의 18-챔버 300mm Ultra C VI 세정 장비를 양산 라인에 투입

첨단 로직과 DRAM 및 3D NAND 제조용 대부분의 반도체 세정 공정 지원 12-챔버 장비보다 수율 50% 향상

중국 메모리칩 제조사, ACM 리서치의 18-챔버 300mm Ultra C VI 세정 장비를 양산 라인에 투입
‘Ultra C VI 18-챔버’ 300mm 단일 웨이퍼 세정 장비

ACM 리서치(ACM Research)는 자사의 18-챔버 300mm Ultra C VI 단일 웨이퍼 세정 장비가 중국의 대형 메모리 칩 제조회사의 양산 공정에 성공적으로 투입되었다고 밝혔다. 2020년 2분기에 처음 출시된 이 장비는 중국의 대형 메모리 칩 제조회사로부터 양산 투입에 대한 검증을 이미 마친 상태이다.

18-챔버를 지원하는 ACM의 300mm Ultra C VI 장비는 시장의 거의 모든 습식 세정 및 식각 공정과 호환된다. 이 장비는 특히 폴리머 제거(removal), 텅스텐(W) 루프, 또는 백엔드 구리(back-end copper) 공정, 증착 전 세정(pre-dep clean), 식각 및 CMP(화학 기계 연마) 후처리 세정, 딥 트렌치 세정(deep trench clean), RCA 표준 세정 등 다양한 전/후공정에 활용할 수 있다.

특히 이 장비는 희석 불산(DHF), 희석 황산 과산화수소 혼합물(DSP, DSP+), 이소프로필 알코올(IPA) 건조제 등 다양한 액체 화합물을 지원할 수 있으며, 종횡비가 높은 제품에 사용할 수 있다. 이 장비는 또한 RCA 세정 공정용 DHF, SC-1, SC-2, DIO3와 전면 또는 후면 금속 제거 공정용 HF, HF-HNO3, SC1-1, DIO3, 그리고 CU 루프 세정에 사용되는 ST250, EKC, DHF, 기능수(functional water) 또는 후세정용 FOM 등 다양한 화합물에 적용될 수 있다.

ACM의 사장 겸 CEO인 데이비드 왕(David Wang) 박사는 “반도체 공정기술 노드의 축소로 인해 칩이 계속 복잡해지고 이에 따른 습식 세정 공정 단계도 증가하고 있다”면서 “현재 반도체 칩에 대한 전례 없는 수요로 인해 생산 능력 향상에 대한 요구가 계속 높아지고 있는 상황에서 ACM의 18-챔버 장비는 이러한 요구를 충족할 수 있다. 특히 Ultra C VI시스템 장비를 양산 공정에 투입하면, 동일한 크기(footprint)로 수율(throughput)을 50%까지 더 늘릴 수 있다”고 강조했다.

한편 18-챔버 300mm Ultra C VI 장비에는 여러 로봇들로 구성되는 고효율 프런트엔드 모듈 시스템이 장착되어 있다. 이를 통해 이 18-챔버 Ultra C VI 장비는 시간당 최대 800개의 웨이퍼를 처리할 수 있다. 이 장비는 기존 생산 라인에 통합할 수 있도록 장비 폭은 동일하되 길이만 약간 늘려서 더 많은 챔버 수를 제공하는데, 이로써 기존 Ultra C V 12-챔버 시스템에 비해 수율이 50% 증가한 우수한 세정 처리량을 목표로 한다.

TSN 국제 표준 발표

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