로옴, 8V 게이트 내압 150V GaN HEMT 양산 체제 확립

로옴 (ROHM)는 기지국 · 데이터 센터를 비롯한 산업기기 및 각종 IoT 통신기기의 전원 회로용으로, 업계 최고 8V까지 게이트 내압 (게이트 – 소스 정격전압)을 높인 150V 내압 GaN HEMT ‘GNE10xxTB 시리즈 (GNE1040TB)’의 양산 체제를 확립했다고 밝혔다.

올해 일본의 경제산업성은 향후 10년도 남지 않은 2030년 신설 데이터 센터에 대한 30% 저전력화를 실현할 것을 업계에 제시했다. 그 성능을 위해서는 저전력화 뿐만이 아니라, 사회 인프라로서의 견고함과 안전성도 확보해야 함은 물론이다. 로옴은 이러한 미래에 대한 사회 요구에 대응하여, 저전력화를 실현함과 동시에 업계 최고의 게이트 내압 8V라는 견고함과 안전성을 확보한 새로운 GaN 디바이스를 개발했다.

로옴은 독자적인 구조를 통해 게이트 – 소스 정격전압을 일반적인 6V에서 8V까지 높이는데 성공했다. 이에 따라 스위칭 시에 6V를 초과하는 오버슈트 전압이 발생하더라도 디바이스가 열화되지 않아 전원 회로의 설계 마진 향상 및 고신뢰화에 기여한다. 또한 대전류 대응 및 방열성이 우수하고 범용성이 높은 패키지로 제품화하여 실장 공정에서의 핸들링도 용이하게 했다.

회사 관계자는 “로옴은 저전력 · 소형화에 기여하는 GaN 디바이스를 ‘EcoGaN™’으로 라인업하고, 디바이스 성능을 더욱 향상시키기 위해 노력하고 있다. 향후 ‘Nano Pulse Control™’ 등 아날로그 전원 기술을 활용한 제어 IC 및 이러한 기술을 탑재한 모듈 개발을 추진하여 GaN 디바이스가 지닌 성능을 최대화시키는 파워 솔루션을 제공해 나갈 것이다.”라고 밝혔다.

EcoGaN™은 GaN이 지닌 낮은 ON 저항과 고속 스위칭 성능을 최대화시킴으로써 어플리케이션의 저소비전력화와 주변 부품의 소형화, 설계 공수와 부품수 삭감을 모두 지향하는 저전력 · 소형화에 기여하는 로옴의 GaN 디바이스이다.

이번 제품을 통해 기대되는 주요 애플리케이션 분야로는 1) 데이터 센터 및 기지국 등 48V 입력 강압 컨버터 회로, 2) 기지국 파워 앰프부의 승압 컨버터 회로, 3) LiDAR 구동 회로와 포터블 기기용 무선 충전 회로, 4) D급 오피오 앰프 등이다.