바스프, 안산에 전자소재 R&D 허브 구축…”차세대 반도체 소재 개발 가속화”

수원서 안산으로 R&D 센터 확장 이전…
식각·포토 공정 소재 개발 역량 집중

글로벌 화학기업 바스프는 지난 4월 4일 경기도 안산공장 부지 내 3층 규모의 전자소재 R&D 센터를 공식 개소했다고 밝혔다. 기존 수원 R&D 시설을 확장 이전한 이번 투자로 식각·포토·금속화학 등 반도체 공정용 핵심 소재 개발 역량을 집약했다.

바스프의 국내 전자소재 사업부는 새로운 터전에서 식각, 포토, 금속화학(Metalization Chemical) 등 반도체용 기능성 소재 개발에 집중하여, 첨단 반도체 제조 공정의 기술 및 품질 수요에 대응할 계획이다.

로타 라우피흘러(Dr. Lothar Laupichler) 바스프 그룹 전자소재 사업부 총괄 수석 부사장은 “이 센터는 옹스트롬 시대 반도체 소재 개발을 위한 협업 플랫폼”이라며 “국내 고객사와의 공동연구를 통해 기술 혁신을 가속화할 것”이라고 강조했다. 또한 옌스 리베르만(Jens Liebermann) 바스프 반도체 소재 부사장 “한국을 글로벌 R&D 핵심 거점으로 삼아 AI·메모리 칩용 소재 경쟁력을 강화하겠다”고 덧붙였다.

안산 신설 센터는 엔지니어링 플라스틱(EPIC Korea), 전자 소비재(CECC) 혁신 센터 등 기존 시설과 연계해 종합 연구 클러스터로 역할을 확대한다. 바스프는 이를 통해 반도체 소재 분야에서 현대적·미래지향적 솔루션 개발에 주력할 계획이다.