ST마이크로일렉트로닉스, 통합 SiC 기판 제조시설 이탈리아에 구축

자동차 및 산업용 애플리케이션 전반에 증가하는 SiC 디바이스에 대한 수요 지원

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 통합 실리콘 카바이드(SiC: Silicon Carbide) 기판 제조시설을 이탈리아에 구축한다고 발표했다.

ST 고객들이 전기화로의 전환과 더 높은 효율성을 추구함에 따라 자동차 및 산업용 애플리케이션 전반에서 증가하는 SiC 디바이스에 대한 수요를 지원한다는 구상이다. 이 시설은 오는 2023년부터 생산이 시작될 예정이며, 내부와 유통 시장 간의 SiC 기판 공급이 균형적으로 이루어질 것이라고 회사측은 설명했다.

이 프로젝트는 ST의 SiC 사업에 대한 수직적 통합 전략을 발전시키는 핵심 단계로 말해진다. 5년 동안 7억 3천만 유로(한화 약 1조 165억원)에 달하는 자금을 국가회복 및 복원계획(National Recovery and Resilience Plan)의 틀에 따라 이탈리아 정부에서 지원받는다.

이탈리아 카타니아(Catania)에 구축된 기존 SiC 디바이스 제조시설과 함께 이번 SiC 기판 제조시설은 모든 단계의 생산 플로우를 통합해 150mm SiC 에피택셜 기판을 대량 생산하는 유럽 최초의 시설이 된다. ST는 차세대 200mm 웨이퍼 개발에도 주력하고 있다.

ST는 200억 달러(한화 약 28조) 이상의 수익 목표를 달성하고자 추가로 300mm 제조 역량을 갖추고 와이드 밴드갭(Wide Bandgap) 반도체에 대한 집중 투자를 통해 글로벌 제조 운영 혁신을 추진하고 있다.

ST의 사장 겸 CEO인 장 마크 쉐리(Jean-Marc Chery)는 “ST는 이탈리아 카타니아에서 사업을 확장하고 있으며, 이는 전력 반도체 기술의 중심지이자 이탈리아 연구기관, 대학, 공급업체들과 긴밀히 협력해 SiC 연구, 개발 및 제조역량을 통합해 온 곳이다”라며, “새로운 시설은 SiC의 수직적 통합 전략에서 핵심이 될 것이며, 공급물량을 더욱 늘려 SiC 기판 공급을 강화함으로써 전기화와 고효율화로의 전환을 꾀하는 자동차와 산업 고객을 지원하게 된다”고 말했다.

한편, ST의 첨단 대량생산 STPOWER SiC 제품은 현재 카타니아와 싱가포르 앙 모 키오(Ang Mo Kio) 팹에서 제조한다. 어셈블리 및 테스트는 중국 센젠(Shenzhen)과 모로코 부스코라(Bouskoura)에 위치한 백엔드 시설에서 이뤄진다.