인피니언, 새로운 산업 표준 패키지 컨셉 25V 전력 MOSFET 출시

인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 첨단 전력 관리 디자인의 과제를 해결하기 위해 부품 차원의 향상을 통한 시스템 혁신에 집중하고 있다. 인피니언은 새로운 산업 표준 패키지 컨셉 ‘Source Down’을 적용한 첫 전력 MOSFET으로 PQFN 3.3mm x 3.3mm 패키지 OptiMOS™ 25V 제품을 출시했다.

MOSFET 성능에 있어서 업계에 새로운 기준을 제시하는 이 디바이스는 낮아진 온(on) 상태 저항(RDS(on))과 뛰어난 열 관리 능력을 제공하여, 드라이브, SMPS (서버, 텔레콤, OR-ing), 배터리 관리 등 다양한 애플리케이션에 적합하다.

인피니언측은 “이 기술 혁신으로 현행 기술 대비 RDS(on)을 30%까지 크게 낮출 수 있다”고 전했다. 또한 “접합부 대 케이스 열 저항(RthJC) 역시 현행 PQFN 패키지 대비 크게 향상된다. 기생성분을 낮추고, PCB 손실을 줄이고, 열 성능이 뛰어나므로 다양한 첨단 엔지니어링 디자인에 큰 이점을 제공한다”고 밝혔다.

새로운 패키지 컨셉은 드레인 (drain) 전위 대신 소스 (source) 전위를 열 패드로 연결한다. 이렇게 하면 새로운 PCB 레이아웃이 가능해지고 더 높은 전력 밀도와 성능 달성에 도움이 된다. Source-Down 표준 게이트와 Source-Down 중앙 게이트 두 가지 풋프린트 버전이 PQFN 3.3mm x 3.3mm 패키지로 제공된다.

Source-Down 표준 게이트 풋프린트는 현행 PQFN 3.3mm x 3.3mm 핀아웃 구성을 사용한다. 전기 배선 위치가 동일하므로, 표준 Drain-Down 패키지를 새로운 Source-Down 패키지로 바로 교체할 수 있다.

중앙 게이트 버전은 게이트 핀을 중앙으로 옮겨서 여러 개 MOSFET을 손쉽게 병렬로 구성할 수 있다. 드레인-소스 연면거리가 더 넓기 때문에 단일 PCB 레이어로 여러 디바이스의 게이트들을 연결할 수 있다. 또한 게이트를 중앙으로 옮김으로써 소스 면적이 넓어지고 디바이스의 전기적 연결을 향상시킨다.