인피니언, 200mm 실리콘 카바이드(SiC) 기술로 전력 반도체 시장 선도

인피니언 테크놀로지스가 2025년 1분기 중 200mm 실리콘 카바이드(SiC) 기반 제품을 출시하며, 고전압 애플리케이션 시장에서 기술 리더십을 강화할 예정이다.

2025년 1분기 고전압 애플리케이션용 200mm SiC 제품 출시 예정

인피니언, 200mm 실리콘 카바이드(SiC) 기술로 전력 반도체 시장 선도
200mm SiC 웨이퍼 이미지 (image. 인피니언)

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 200mm 실리콘 카바이드(SiC) 기술 개발에서 큰 진전을 이루며, 2025년 1분기 중 첫 번째 200mm SiC 기반 제품을 출시할 예정이다. 이 제품은 오스트리아 빌라흐 공장에서 생산되며, 신재생 에너지, 전기차, 열차 등 고전압 애플리케이션에 최적화된 전력 솔루션을 제공할 계획이다.

또한, 말레이시아 쿨림 소재의 인피니언 제조 시설은 150mm에서 200mm 웨이퍼로의 전환 작업을 순조롭게 진행 중이다. 이는 더 큰 웨이퍼를 통해 생산 효율성을 높이고, 고객들에게 더욱 경쟁력 있는 제품을 제공하기 위한 전략이다.

SiC 반도체는 전기 변환 효율성을 극대화하고, 극한 환경에서도 높은 신뢰성과 견고성을 제공하며, 소형 설계를 가능하게 해 고전력 애플리케이션 분야에서 혁신을 주도하고 있다. 인피니언의 SiC 제품은 전기차, 고속 충전소, 열차, 신재생 에너지 시스템, AI 데이터 센터 등 다양한 분야에서 에너지 효율적인 솔루션 개발을 지원한다.

인피니언은 그린 에너지 전환과 CO2 감축에 기여하기 위해 고성능 전력 반도체 포트폴리오를 확대하고 있다. 특히, 와이드 밴드갭(WBG) 기술을 위한 “인피니언 원 버추얼 팹” 전략을 통해 오스트리아 빌라흐와 말레이시아 쿨림 공장의 SiC 및 갈륨 나이트라이드(GaN) 생산 역량을 통합, 빠른 램핑업과 효율적인 운영을 실현하고 있다.

이번 200mm SiC 제조 활동은 인피니언이 실리콘, SiC, GaN을 아우르는 전력 반도체 분야에서의 기술 리더십을 더욱 공고히 할 것으로 기대된다.

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