인피니언, 차세대 GaN 전력 디스크리트 출시

새로운 모든 제품은 인피니언의 오스트리아 빌라흐와 말레이시아 쿨림의 고성능 8인치 생산 라인에서 제조되며, 향후 CoolGaN은 12인치 생산으로 전환될 예정이다

인피니언, 차세대 GaN 전력 디스크리트 출시
CoolGaN™ 트랜지스터 650V G5 고전압 디스크리트 제품군 (image. 인피니언)

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 새로운 고전압 디스크리트 제품군인 CoolGaN™ 트랜지스터 650V G5를 출시했다고 밝혔다.

최신 CoolGaN 세대는 CoolGaN 트랜지스터 600V G1의 드롭인 교체용으로 설계되어 기존 플랫폼을 빠르게 재설계할 수 있도록 지원한다. 새로운 디바이스는 향상된 FoM(figures of merit)을 제공하여 주요 애플리케이션에서 경쟁력 있는 스위칭 성능을 보장한다.

회사측에 따르면, 새로운 제품군은 USB-C 어댑터 및 충전기, 조명, TV, 데이터 센터, 통신용 정류기 등 컨슈머 및 산업용 SMPS(switched-mode power supply) 뿐만 아니라 신재생 에너지 및 가전제품의 모터 드라이브에도 적합하다.

특히 전력 손실을 최소화하면서 고주파수에서 동작할 수 있어 전력 밀도가 우수하다는 특징이 있다. CoolGaN 트랜지스터 650V G5를 사용하면 SMPS 애플리케이션을 더 작고 가볍게 만들거나 주어진 폼팩터에서 출력 전력 범위를 늘리는 것이 가능하다.

주요 경쟁 제품 및 인피니언의 이전 제품군에 비해 CoolGaN 트랜지스터 650V G5는 출력 커패시턴스에 저장된 에너지(Eoss)가 최대 50퍼센트 낮고, 드레인-소스 전하(Qoss)가 최대 60퍼센트 향상되었으며 게이트 전하(Qg)가 최대 60퍼센트 더 낮다.

이러한 기능이 결합되어 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 애플리케이션 모두에서 탁월한 효율을 제공한다. 기존 실리콘 기술에 비해 전력 손실이 특정 사용 사례에 따라 20~60 퍼센트까지 크게 감소한다.

새로운 고전압 트랜지스터 제품군은 다양한 RDS(on) 패키지 조합을 제공한다. 10개의 RDS(on) 클래스가 ThinPAK 5×6, DFN 8×8, TOLL 및 TOLT와 같은 다양한 SMD 패키지로 제공된다.

TSN 국제 표준 발표

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