2025년 8월 29일, 금요일

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[기고]실리콘에서 GaN으로전환하는스위칭 모드 전원 공급장치(SMPS)

아이씨엔 -
GaN 기술은 기존의 실리콘(Si) 기반 MOSFET에 비해 많은 이점을 제공한다. GaN은 전원 스위치가 고온 환경에서도 동작하고 높은 전력 밀도를 달성할 수 있게 한다.

[기고]LTspice 시뮬레이션에서 GaN FET 모델 사용하기

아이씨엔 -
LTspice에서 GaN FET 모델을 쉽게 임포트하고 시뮬레이션할 수 있는 방법과, 이를 활용한 전력 설계 최적화의 중요성을 설명하는 방법을 알아본다

ST마이크로일렉트로닉스, GaN 애플리케이션용 고전압 하프 브리지 게이트 드라이버 출시

오승모 기자 -
ST마이크로일렉트로닉스가 GaN 애플리케이션의 효율성과 견고성을 높이는 고전압 하프 브리지 게이트 드라이버 STDRIVEG610과 STDRIVEG611을 출시했다.

“AI 시대 데이터센터 전력 관리 혁신”… TI, 고효율 전력 반도체 출시

오승모 기자 -
TI 48V 통합 핫스왑 eFuse가 데이터 센터 설계를 간소화하고 6kW 이상의 전력에도 안정성을 제공한다

TI, 우주 등급 200V GaN FET 게이트 드라이버 출시

오승모 기자 -
텍사스 인스트루먼트(TI)는 방사능 내성(radiation-tolerant) 및 방사능 경화(radiation-hardened)기능을 갖춘 하프 브리지 질화 갈륨 (GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET) 게이트 드라이버 신제품군을 출시했다

인피니언, 200mm 실리콘 카바이드(SiC) 기술로 전력 반도체 시장 선도

오승모 기자 -
인피니언이 1분기중에 첨단 200mm SiC 기술 기반의 첫 번째 제품을 출시할 계획이다

인피니언, 차세대 GaN 전력 디스크리트 출시

오승모 기자 -
인피니언이 뛰어난 효율과 전력 밀도를 제공하는 CoolGaN™ 트랜지스터 650V G5를 출시했다

TI, GaN(질화갈륨) 전력 반도체의 자체 제조 역량 4배로 강화

오승모 기자 -
텍사스 인스트루먼트(TI)가 일본 아이주 제조 시설에서 GaN(질화 갈륨) 기반 전력 반도체 제조를 시작했다

TI와 델타 일렉트로닉스, 전기차 온보드 충전 공동연구소 설립

오승모 기자 -
우선 델타의 최신 C2000™ 실시간 마이크로컨트롤러(MCU)와 TI의 액티브 전자기 간섭(EMI) 필터 제품을 사용한 11kW 온보드 충전기 개발에 나선다

전력손실 절반으로 줄인다.. TI GaN IPM 출시

오승모 기자 -
텍사스 인스트루먼트(TI)는 업계 최초로 250W 모터 드라이브 애플리케이션을 위한 650V 3상 질화 갈륨(GaN) IPM을 출시했다

인피니언, 8인치 파운드리 기반 고전압 및 중전압 CoolGaN™ 제품군 출시

오윤경 기자 -
인피니언이 8인치 파운드리 공정 기반의 CoolGaN™ 트랜지스터 제품군을 출시한다

TI, 100V GaN 전력계 제품으로 국내 반도체 기업 전력밀도 지원한다

오승모 기자 -
TI는 엔지니어가 더 작은 크기의 디바이스에서 더 많은 전력을 달성하고 더 낮은 비용으로 최고의 전력 밀도를 제공하도록 지원하는 새로운 전력 변환 장치를 공개했다
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