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“AI 시대 데이터센터 전력 관리 혁신”… TI, 고효율 전력 반도체 출시

오승모 기자 -
TI 48V 통합 핫스왑 eFuse가 데이터 센터 설계를 간소화하고 6kW 이상의 전력에도 안정성을 제공한다

TI, 우주 등급 200V GaN FET 게이트 드라이버 출시

오승모 기자 -
텍사스 인스트루먼트(TI)는 방사능 내성(radiation-tolerant) 및 방사능 경화(radiation-hardened)기능을 갖춘 하프 브리지 질화 갈륨 (GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET) 게이트 드라이버 신제품군을 출시했다

인피니언, 200mm 실리콘 카바이드(SiC) 기술로 전력 반도체 시장 선도

오승모 기자 -
인피니언이 1분기중에 첨단 200mm SiC 기술 기반의 첫 번째 제품을 출시할 계획이다

인피니언, 차세대 GaN 전력 디스크리트 출시

오승모 기자 -
인피니언이 뛰어난 효율과 전력 밀도를 제공하는 CoolGaN™ 트랜지스터 650V G5를 출시했다

TI, GaN(질화갈륨) 전력 반도체의 자체 제조 역량 4배로 강화

오승모 기자 -
텍사스 인스트루먼트(TI)가 일본 아이주 제조 시설에서 GaN(질화 갈륨) 기반 전력 반도체 제조를 시작했다

TI와 델타 일렉트로닉스, 전기차 온보드 충전 공동연구소 설립

오승모 기자 -
우선 델타의 최신 C2000™ 실시간 마이크로컨트롤러(MCU)와 TI의 액티브 전자기 간섭(EMI) 필터 제품을 사용한 11kW 온보드 충전기 개발에 나선다

전력손실 절반으로 줄인다.. TI GaN IPM 출시

오승모 기자 -
텍사스 인스트루먼트(TI)는 업계 최초로 250W 모터 드라이브 애플리케이션을 위한 650V 3상 질화 갈륨(GaN) IPM을 출시했다

인피니언, 8인치 파운드리 기반 고전압 및 중전압 CoolGaN™ 제품군 출시

오윤경 기자 -
인피니언이 8인치 파운드리 공정 기반의 CoolGaN™ 트랜지스터 제품군을 출시한다

TI, 100V GaN 전력계 제품으로 국내 반도체 기업 전력밀도 지원한다

오승모 기자 -
TI는 엔지니어가 더 작은 크기의 디바이스에서 더 많은 전력을 달성하고 더 낮은 비용으로 최고의 전력 밀도를 제공하도록 지원하는 새로운 전력 변환 장치를 공개했다

ST마이크로일렉트로닉스, 실리콘 컨버터 설계 간소화 지원하는 동기식 정류기 컨트롤러 출시

오윤경 기자 -
ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 산업용 전원공급장치, 휴대용 기기 충전기, AC/DC 어댑터 등 실리콘 또는 GaN 트랜지스터로 구현되는 컨버터의 설계를 간소화하고 효율성을 향상시키는 SRK1004 동기식 정류기 컨트롤러를 출시했다.

인텔, 미래 반도체 공정 혁신에 나서다.. 차세대 트랜지스터 확장 기술 발표

오승모 기자 -
인텔은 전자소자학회(IEDM)에서 인텔의 미래 반도체 공정 로드맵을 지원할 획기적인 트랜지스터 확장 기술 및 연구개발(R&D) 성과를 발표했다.

넥스페리아, 차세대 고전압 GaN HEMT 기술을 탑재한 GaN FET 소자 발표

우청 기자 -
넥스페리아의 CCPAK1212i 상단 냉각 패키지의 33mΩ(통상) 질화갈륨(GaN) FET인 GAN039-650NTB는 와이드 밴드갭 반도체 및 구리 클립 패키징의 새로운 시대를 열었다.
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