2025년 10월 26일, 일요일

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전력반도체, 300mm GaN 시대 열린다

우청 기자 -
아이멕(Imec)이 엑시트론, 글로벌파운드리 등과 협력하여 저·고전압 전력 전자 애플리케이션의 개발 가속화와 제조 비용 절감을 위한 300mm 질화갈륨(GaN) 오픈 이노베이션 프로그램을 공식 출범했다

자동차 ‘암흑전류’ 잡는 파수꾼 나왔다

오승모 기자 -
ST가 무부하 시 3.5µA의 초저 대기 전류와 넓은 동작 온도 범위를 특징으로 하는 자동차용 300mA LDO 전압 레귤레이터 L99VR03을 출시하여 차체 제어 모듈, 텔레매틱스 등의 배터리 에너지 소모를 최소화한다

인피니언-로옴, 차세대 전력 반도체 ‘SiC 동맹’

오승모 기자 -
인피니언과 로옴이 SiC 전력 반도체 패키지 개발에 협력, 고객사에 호환 가능한 제품을 제공하며 차세대 전력 시장을 선도한다.

온세미, 스토니브룩대학교에 와이드 밴드갭 소재 연구 센터 설립

오윤경 기자 -
온세미는 스토니브룩대학교(Stony Brook University)와 함께 800만 달러를 투자해 와이드 밴드갭 연구 센터를 설립한다고 발표했다

인피니언, 200mm 실리콘 카바이드(SiC) 기술로 전력 반도체 시장 선도

오승모 기자 -
인피니언이 1분기중에 첨단 200mm SiC 기술 기반의 첫 번째 제품을 출시할 계획이다

TI, GaN(질화갈륨) 전력 반도체의 자체 제조 역량 4배로 강화

오승모 기자 -
텍사스 인스트루먼트(TI)가 일본 아이주 제조 시설에서 GaN(질화 갈륨) 기반 전력 반도체 제조를 시작했다

인피니언, 초박형 20µm 전력 반도체 웨이퍼 공정에 성공

오승모 기자 -
인피니언 테크놀로지스가 반도체 제조 기술의 다음 이정표를 공개했다.

바스프, 차세대 IGBT 반도체 위한 고성능 폴리프탈아미드(PPA) 소재 출시

우청 기자 -
바스프가 차세대 전력 반도체 IGBT 하우징 제조에 최적화된 PPA 울트라미드 어드밴스드N3U41 G6을 개발했다

인피니언-HD한국조선해양, 전력반도체로 선박 엔진 및 기계 전동화 위한 기술 공동 개발한다

오승모 기자 -
HD한국해양조선은 인피니언과 협력하여 선박 전동화의 핵심 요소인 추진 드라이브 구동 기술을 위한 혁신적인 전력 솔루션을 개발한다

미쓰비시 전기, 넥스페리아와 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 공동 개발한다

오윤경 기자 -
넥스페리아가 일본의 미쓰비시 전기와 전략적 파트너십을 체결해 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET에 대한 공동개발에 적극 나선다.

[안내] 통합형 최적 설계 플랫폼 기반 초고효율 전력변환시스템 개발 기술세미나.. 한국전기산업기술연구조합

아이씨엔 -
한국전기산업기술연구조합은 전력변환시스템 설계기술 관련 국내 전문가 기술 교육을 위한 제4차 심화 기술 세미나를 개최한다

인피니언, 세계 최대 규모 200mm SiC 파워 팹 말레이시아 건설

오승모 기자 -
전력 시스템 분야의 선도 기업인 인피니언 테크놀로지스는 말레이시아 쿨림 공장의 투자 계획을 확대하여 세계 최대 규모의 200mm SiC(실리콘 카바이드) 파워 팹을 건설한다
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