온세미, 스토니브룩대학교에 와이드 밴드갭 소재 연구 센터 설립

AI 및 전기화 시대 전력 반도체 혁신 주도
차세대 인력 양성 위한 전략적 투자

AI(인공지능)와 전기화가 글로벌 메가트렌드로 부상하면서, 이로 인한 폭발적인 전력 수요 증가에 효과적으로 대응할 수 있는 혁신적인 전력 반도체 기술의 중요성이 그 어느 때보다 커지고 있다. 이러한 시대적 요구에 발맞춰 지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업인 온세미(onsemi)가 스토니브룩대학교(Stony Brook University)와 손잡고 800만 달러를 투자하여 와이드 밴드갭(Wide Bandgap) 소재 연구 센터를 설립한다고 발표했다. 이번 투자는 스토니브룩대학교, 엠파이어 스테이트 디벨롭먼트(Empire State Development)와 함께 추진하는 2천만 달러 규모의 전략적 협력의 일환으로, 미국 뉴욕을 전력 반도체 혁신의 국가적 허브로 자리매김하기 위한 온세미의 강력한 의지를 보여준다.

첨단 소재 연구를 통한 에너지 효율 혁신

새롭게 설립될 와이드 밴드갭 연구 센터는 실리콘 카바이드(SiC)를 포함한 와이드 밴드갭 소재와 디바이스 구현 기술의 기초 연구를 발전시키는 것을 목표로 한다. 와이드 밴드갭 소재는 기존 실리콘(Si) 기반 반도체에 비해 높은 전력 효율, 고온 안정성, 빠른 스위칭 속도 등 뛰어난 특성을 지녀 AI 서버, 전기차, 재생에너지 시스템 등 고전력 애플리케이션에 필수적인 기술로 각광받고 있다. 센터는 2027년 초에 완전히 가동될 예정이며, 소재 개발, 디바이스 통합, 성능 특성화를 위한 전문 실험실과 첨단 기기를 갖춰 차세대 전력 반도체 기술의 연구 및 개발을 선도할 계획이다.

온세미 기업 전략 담당 수석 부사장인 디네시 라마나선(Dinesh Ramanathan)은 “첨단 전력 반도체는 AI와 전기화의 광범위한 채택을 가능하게 하는 핵심”이라며, “새로운 센터는 이러한 글로벌 메가트렌드에서 가장 중요한 분야의 혁신을 가속하는 데 핵심적인 역할을 할 것”이라고 강조했다. 그는 또한 호컬(Hochul) 뉴욕 주지사의 비전과 온세미-스토니브룩대학교-엠파이어 스테이트 디벨롭먼트 간의 강력한 파트너십을 통해 전력 반도체 분야의 차세대 혁신을 주도하고 지속 가능한 미래를 위한 숙련된 인재 파이프라인을 구축할 것이라고 덧붙였다.

인력 양성 및 뉴욕의 ‘칩 수도’ 위상 강화

이번 협력의 또 다른 중요한 축은 차세대 전문 인력 양성이다. 스토니브룩대학교는 실리콘 카바이드 및 와이드 밴드갭 반도체 분야에서 학부 부전공, 대학원 석사 학위, 자격증을 위한 교육과정을 개발하고 있다. 이는 급변하는 반도체 산업의 요구에 부응하는 실질적인 인재 양성 시스템을 구축하여, 학생들이 고도의 기술과 수요가 많은 기술 분야에서 리더십 역할을 수행할 수 있도록 준비시킨다.

뉴욕 주지사인 캐시 호컬(Kathy Hochul)은 “스토니브룩대학교의 최첨단 연구 시설은 칩 산업을 재건하고, 국가 안보를 강화하며, 미국의 칩 수도로서 뉴욕의 위상을 공고히 하려는 사명의 다음 단계가 될 것”이라며, “최첨단 기술과 세계적 수준의 인재에 투자함으로써 롱 아일랜드(Long Island)와 뉴욕의 더욱 강력하고 탄력적인 미래를 구축해 나가고 있다”고 밝혔다. 엠파이어 스테이트 디벨롭먼트 역시 미국 내 반도체 역량과 인력 개발을 활성화하기 위한 뉴욕의 광범위한 전략을 지원하고 있다.

새로운 센터는 SiC 성장 분야의 선도적인 연구자인 스토니브룩대학교 재료과학 및 화학 엔지니어링 마이클 더들리(Michael Dudley) 교수가 이끌며, 발라지 라고타마차르(Balaji Raghothamachar) 교수와 딜립 거사페(Dilip Gersappe) 교수도 함께 협력에 나선다. 온세미와 스토니브룩대학교의 이번 파트너십은 전력 반도체 기술의 혁신을 넘어, 미래 산업을 이끌어갈 인재를 양성하고 지역 경제 발전에 기여하는 모범적인 산학 협력 모델이 될 것으로 기대된다.