온세미-글로벌파운드리, 차세대 GaN 전력 반도체 개발 협력… 시장 혁신 가속

650V 수평형 GaN 솔루션 확보로 AI 데이터센터 및 전기차 시장 정조준

지능형 전력 및 센싱 기술 전문 기업 온세미(onsemi)가 글로벌파운드리(GlobalFoundries)와 협력하여 질화갈륨(GaN) 전력 반도체 시장 공략을 본격화한다. 양사는 최첨단 200mm eMode GaN-on-silicon 공정을 기반으로 차세대 GaN 전력 제품 개발 및 제조를 위해 손을 맞잡았다.

이번 협력을 통해 온세미는 고성능 GaN 디바이스와 통합 파워 스테이지 로드맵을 가속화하며, 고전압 제품군으로 포트폴리오를 대폭 확장한다. 이는 급증하는 AI 데이터센터, 전기차(EV), 재생에너지, 항공우주 분야의 전력 수요에 효과적으로 대응하기 위한 포석이다.

기술 시너지를 통한 고효율 전력 시스템 구현

온세미는 자사의 실리콘 드라이버 및 컨트롤러 기술을 글로벌파운드리의 650V GaN 기술 플랫폼과 결합한다. 이를 통해 더 높은 전력 밀도와 개선된 효율성을 갖춘 최적화된 GaN 디바이스를 공급할 예정이다.

해당 기술은 AI 데이터센터용 전원 공급 장치와 DC-DC 컨버터는 물론, 전기차용 온보드 충전기(OBC), 태양광 마이크로인버터 등 고성장 시장에 적용된다. 특히 온세미의 열 성능 강화 패키지 기술이 결합되어, 고속 스위칭 환경에서도 뛰어난 신뢰성을 유지할 수 있다는 점이 강점이다.

디네시 라마나선(Dinesh Ramanathan) 온세미 수석 부사장은 “이번 협력은 온세미의 제품 전문성과 글로벌파운드리의 첨단 공정을 결합해 고객이 더 작고 효율적인 전력 시스템을 구축하도록 돕는 것”이라며, “2026년 상반기 샘플 공급을 시작으로 양산 규모를 신속히 확대할 계획”이라고 밝혔다.

차세대 전력 아키텍처의 핵심: GaN의 3대 강점

GaN 반도체는 기존 실리콘(Si) 기반 소자 대비 압도적인 성능을 제공하며 시스템 설계의 새로운 가능성을 제시한다.

• 고주파 작동: 높은 스위칭 주파수를 지원하여 시스템 크기와 부품 수를 줄이는 동시에 효율성을 개선한다.
• 양방향 기능: 단일 소자로 기존의 여러 단방향 트랜지스터를 대체하는 새로운 토폴로지를 구현, 설계 단순화와 비용 절감을 가능케 한다.
• 통합 솔루션: GaN FET를 드라이버 및 보호 회로와 단일 패키지에 결합하여 설계 주기를 단축하고 전자기 간섭(EMI)을 효과적으로 억제한다.

글로벌파운드리의 마이크 호건(Mike Hogan) 최고사업책임자는 “지속 가능한 에너지와 AI 분야의 진화하는 요구를 충족하기 위해 GaN 기술을 지속적으로 발전시켜 나갈 것”이라고 강조했다. 온세미는 이번 협업을 통해 저압부터 초고전압 수직형(Vertical) GaN에 이르는 폭넓은 포트폴리오를 완성하고, 차세대 전력 시장의 주도권을 공고히 할 방침이다.