비쉐이, 3세대 1200V SiC 쇼트키 다이오드 출시

RoHS 규제 준수하는 무할로겐 1200V SiC 쇼트키 다이오드 16종 선보여

비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology)가 16개의 새로운 3세대 1200V 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드를 출시했다고 밝혔다.

병합된 PIN 쇼트키(MPS) 설계를 특징으로 하는 비쉐이 반도체 소자들은 높은 서지 전류 견고성과 낮은 순방향 전압 강하, 용량성 충전 및 역방향 누설 전류를 결합하여 스위칭 전원 설계의 효율성과 신뢰성을 높여준다.

이번에 출시된 차세대 SiC 다이오드들은 TO-220AC 2L, TO-247AD 2L, TO-247AD 3L 쓰루홀 (through-hole) 및 D2PAK 2L(TO-263AB 2L) 표면 실장 패키지의 5A – 40A 소자들이다. 이 제품들은 최저 28nC의 낮은 정전 용량 전하를 제공하며 레이저 어닐링 기술을 통해 후면이 얇아진 MPS 구조는 1.35V의 감소된 순방향 전압 강하를 특징으로 한다.

회사측은 “높은 신뢰성도를 제공하는 다이오드들은 RoHS 규제 사항을 준수하는 무할로겐 소자로 2,000시간의 고온 역방향 바이어스(HTRB) 테스트와 2,000회의 열 사이클에 대한 온도 사이클링 테스트를 통과했다”고 설명했다.

25 °C에서 작동하는 최저 2.5μA의 낮은 일반 역방향 누설 전류는 전도 손실을 줄여 경부하 및 아이들링 (idling)시 높은 시스템 효율을 보장한다. 이 3세대 소자들은 초고속 다이오드와 달리 복구 테일이 거의 없어 효율성이 더욱 향상되었다.

이 다이오드들은 태양광 발전 인버터, 에너지저장시스템, 산업용 드라이브 및 도구, 데이터센터용 FBPS 및 LLC 컨버터의 AC/DCPFC 및 DC/DC 초고주파 출력 정류 등에 적용된다.

한편, 비쉐이(Vishay)는 세계적인 디스크리트 반도체 및 수동 전자부품 시리즈 제품 제조 기업으로, 자동차, 산업, 컴퓨팅, 컨슈머, 통신, 국방, 우주항공, 의료시장의 혁신적 설계에서 중요한 역할을 담당한다.