목요일, 4월 24, 2025

TI, 100V GaN 전력계 제품으로 국내 반도체 기업 전력밀도 지원한다

신주용 TI 이사, “100V GaN 전력계로 고객사가 전력 밀도를 개선할 수 있도록 지원하겠다”

TI 신주용 이사
TI 코리아 신주용 이사는 열 강화 패키지 기술이 적용된 100V GaN 전력계로 국내 반도체 기업들의 선결과제인 전력 밀도 향상을 지원하겠다고 밝혔다

텍사스 인스트루먼트(TI)는 지난 3월 5일 인터콘티넨탈호텔 파르나스에서 미디어 브리핑을 통해 엔지니어가 더 작은 크기의 디바이스에서 더 많은 전력을 달성하고 더 낮은 비용으로 최고의 전력 밀도를 제공할 수 있도록 지원하는 두 가지 새로운 전력 변환 장치를 국내에 소개했다.

TI의 새로운 100V 통합 질화 갈륨(GaN) 전력계는 열적으로 향상된 양면 냉각 패키지 기술을 사용하여 열 설계를 간소화하고 중전압 애플리케이션에서 1.5kW/in3 이상의 최고 전력 밀도를 달성할 수 있다.

변압기가 통합된 TI의 새로운 1.5W 절연 DC/DC 모듈은 업계에서 가장 작고 전력 밀도가 높아 엔지니어가 차량용 및 산업용 시스템에서 절연 바이어스 전원 공급 디바이스 크기를 89% 이상 줄일 수 있다.

신주용 TI코리아 기술지원팀 이사는 “(최근의) 반도체 팹에서 필요한 전력 수준이 높아지고 있다. TI가 새롭게 출시한 100V 질화갈륨(GaN) 전력계 제품들을 바탕으로 국내 반도체 고객사가 전력 밀도를 개선할 수 있도록 지원하겠다.”고 전했다.

100V GaN 포트폴리오에서 열 성능의 핵심 요소인 TI의 열적으로 강화된 양면 냉각 패키지로 디바이스 양쪽에서 더 효율적으로 열을 제거할 수 있으며 타사의 통합 GaN 장치에 비해 향상된 열 저항을 제공한다.

TI의 새로운 1.5W 절연 DC/DC 모듈은 개별 솔루션 대비 8배 이상, 타사 모듈보다 3배 이상 높은 전력 밀도를 제공해 차량용 및 산업용 시스템을 위한 최고 출력 전력과 절연 기능(3kV)을 4mm×5mm의 VSON(very thin small outline no-lead, 매우 얇은 소형 아웃라인 무연) 패키지로 구현한다.

엔지니어는 TI의 UCC33420-Q1 및 UCC33420을 사용하여 더 적은 수의 부품과 간단한 필터 설계로 CISPR(Comité International Spécial des Perturbations Radioélectriques) 32 및 25와 같은 엄격한 전자파 간섭(EMI) 요구 사항을 쉽게 충족할 수 있다.

새로운 모듈은 바이어스 전원 공급 장치 설계에서 외부 변압기가 필요 없는 TI의 차세대 통합 변압기 기술로 엔지니어는 솔루션 크기를 89% 이상 축소하고 높이를 최대 75%까지 줄이면서 개별 솔루션 대비 재료 사양서를 절반으로 줄일 수 있다.

TI는 엔지니어가 최고의 전력 밀도, 효율성 및 열 성능을 제공하는 데 도움이 되는 혁신을 제공함으로써 전력 관리의 한계를 계속 확장할 수 있게 됐다고 설명했다.



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ASI
오승모 기자
오승모 기자http://icnweb.kr
기술로 이야기를 만드는 "테크 스토리텔러". 아이씨엔 미래기술센터 수석연구위원이며, 아이씨엔매거진 편집장을 맡고 있습니다. 디지털 전환을 위한 데이터에 기반한 혁신 기술들을 국내 엔지니어들에게 쉽게 전파하는데 노력하는 중입니다.
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