TI GaN 기술, 치코니 파워 랩탑 전원으로 채택

치코니 파워(Chicony Power)의 최신 랩탑 전원 어댑터에 TI의 듀얼 칩 GaN 능동 클램프 플라이백 솔루션을 채택

텍사스 인스트루먼트(TI)는 선도적인 전원 공급 솔루션 기업인 치코니 파워(Chicony Power)가 최신 65W 랩탑 전원 어댑터 Le Petit에 자사의 통합 질화갈륨(GaN) 기술을 채택했다고 밝혔다.

TI의 하프 브리지 GaN FET에 게이트 드라이버를 통합한 LMG2610을 채택하고, TI와 치코니 파워가 협력하여 전원 어댑터를 설계함으로써 크기를 50% 축소하고 효율을 최대 94%로 높였다.

단일 칩에 상하부 스위치, 게이트 드라이버 IC, 레벨 시프터, 부트스트랩 회로를 통합한 TI의 LMG2610 GaN FET과 치코니 파워의 3D 구조, 부품 소형화, 방열 시스템, 전자파 간섭(EMI) 억제 설계에서의 전문성을 결합해 전원 어댑터의 크기를 축소하고 원자재 사용은 40%까지 줄였다는 것이 회사축의 설명이다.

루크 리(Luke Lee) TI 아시아 총괄 부사장이자 대만, 한국, 남아시아 지역 사장은 “치코니 파워와의 협력은 TI 제품이 더 작고 에너지 효율적이면서 신뢰할 수 있는 전자기기를 설계하도록 지원하는 방식에 대해 잘 보여주는 사례”라며, “TI의 고도로 통합된 GaN 기술은 전원 어댑터에 향상된 열 성능과 전원 효율을 달성하고 더 적은 부품을 사용해서 전력 밀도를 높일 수 있다”고 말했다.