넥스페리아, 통신 및 산업용 분야에 적합한 고효율 GaN FET 출시

디스크리트와 MOSFET 소자, 아날로그 및 로직 IC 전문기업인 넥스페리아가 ±20V의 VGS(게이트-소스 전압)과 -55°C~+175°C의 동작 온도 범위를 지원하는 650V GAN063-650WSA 소자로 GaN(gallium nitride) FET 시장에 본격 진출했다.

이번에 발표된 신제품 GAN063-650WSA는 60mΩ 이하의 낮은 RDS(on) 저항과 빠른 스위칭 속도를 통해 매우 뛰어난 효율을 달성한다. xEV, 데이터센터, 텔레콤 인프라, 산업 자동화, 고급 전원장치 등 고성능 애플리케이션이 적용 분야이다.

넥스페리아의 GaN-on-silicon 공정은 품질과 신뢰성 면에서 검증된 강건하고 성숙한 기술이며 기존 실리콘 팹 설비로도 웨이퍼 처리가 가능할 정도로 확장성 역시 매우 뛰어나다. 이 소자는 업계 표준 TO-247 패키지로 공급되기 때문에 사용자들은 이미 익숙한 패키지에서 GaN의 탁월한 성능을 활용할 수 있다.

넥스페리아 MOS 사업그룹을 총괄하는 토니 베르슬루이스(Toni Versluijs) 제너럴 매니저는 “이번 신제품 출시는 고전압 시장 영역에 진출하기 위한 전략적 접근으로서 넥스페리아는 이제 xEV 전력 반도체 애플리케이션에 적합한 기술을 제공할 수 있게 되었다”고 전했다. 또한 “당사의 GaN 기술은 양산 체제에 바로 적용이 가능하며 대규모 애플리케이션을 충족할 수 있는 확장성도 갖추고 있다. 넥스페리아가 겨냥하고 있는 핵심 영역은 자동차 분야로서 이 분야는 자가용이나 대중교통 수단으로 선호되던 기존 내연기관 자동차를 전기 자동차가 대체해 나가면서 향후 20년 동안 엄청난 성장이 예상된다”고 말했다.

GAN063-650WSA GaN FET는 넥스페리아가 자동차, 통신 인프라, 산업용 시장을 겨냥하여 개발한 첫 번째 GaN 소자 제품군이다.