인피니언, 전력반도체 프론트엔드 팹 투자 확대

인피니언이 말레이시아 쿨림 공장에 20억 유로 이상을 투자하여 와이드 밴드갭(SiC 및 GaN) 반도체 생산 능력을 확대한다.

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 와이드 밴드갭(SiC 및 GaN) 반도체 분야에서 상당한 생산 능력을 추가해 전력 반도체 시장 리더십을 강화한다고 밝혔다. 인피니언은 말레이시아 쿨림 공장에 20억 유로 이상을 투자하여 세 번째 모듈을 건설한다. 새로운 모듈이 완공되면 SiC 및 GaN 기반 제품으로 연간 20억 유로의 추가 매출이 창출될 것이다.

인피니언은 이미 3,000개 이상의 고객사에 SiC 제품을 공급하고 있다. SiC 반도체는 실리콘 기반 솔루션에 비해 효율, 크기 및 비용 면에서 더 나은 시스템 성능을 제공하며, 산업용 전원 공급 장치, 태양광, 운송, 드라이브, 자동차 및 EV 충전 등의 애플리케이션에 적합하다. 인피니언은 2020년대 중반까지 SiC 기반 전력 반도체 10억 달러 매출을 목표로 하고 있다.

시장조사 기관 욜(Yole)에 따르면, GaN 시장도 2020년 4,700만 달러에서 2025년 8억 100만 달러로 크게 성장할 것으로 예상된다. 인피니언은 첨단 시스템 및 애플리케이션에 대한 이해와 광범위한 GaN IP 포트폴리오 및 대규모 R&D 인력을 보유하고 있다.

이 팹은 오는 6월에 착공해 2024년 여름 장비 준비가 완료되어 2024년 하반기에 웨이퍼 공급을 시작할 예정이다.