온세미, 이노사이언스와 협력해 GaN 전력 포트폴리오 확대 가속화

대량 생산 및 비용 효율적인 글로벌 GaN 제조 역량 확보, 저·중전압 GaN 솔루션 출시 속도 향상

온세미(onsemi)가 이노사이언스(InnoScience)와의 협력을 통해 GaN(질화갈륨) 전력 포트폴리오 확대를 가속화한다. 이번 협력은 대량 생산 및 비용 효율적인 글로벌 GaN 제조 역량을 확보하는 것을 목표로 하며, 이를 통해 에너지 효율적인 전력 디바이스 출시 속도를 높일 계획이다.

GaN 반도체 디바이스는 빠른 스위칭 속도, 작은 폼팩터, 낮은 에너지 손실을 제공해 더 작은 공간에서 더 많은 전력을 공급한다. 그러나 제한적인 제품 공급과 제조 역량으로 인해 저전압, 중전압 부문에서 GaN 도입이 지연돼 왔다.

yole group의 리포트에 따르면, GaN은 2030년까지 글로벌 전력 반도체 시장에서 약 11%를 차지하며 29억 달러 규모로 성장할 것으로 전망된다. 연평균 복합 성장률(CAGR)은 2024년부터 2030년까지 42%에 달할 것으로 보인다.

“모든 분야에서 전력 수요가 증가함에 따라, GaN은 다른 소재에 비해 더 높은 효율과 작은 크기, 낮은 에너지 손실을 제공한다. 지금까지 저전압, 중전압 부문에서는 비용과 공급 제약으로 인해 광범위한 도입이 제한됐다. 이번 협력을 통해 업계 최대 규모의 GaN 생산 기반을 확보하고 전 세계 고객을 위한 GaN 제품 포트폴리오를 신속하게 확장해, 주요 전력 애플리케이션에서 더 넓게 도입될 수 있도록 지원해 나갈 것이다.”

– 앙투안 잘라베르(Antoine Jalabert), 온세미 기업 전략 부사장

저·중전압 GaN 솔루션 시장 확대

온세미는 이번 이노사이언스와의 협력으로 실리콘, 실리콘 카바이드(SiC), GaN 기술을 포함한 온세미의 종합적인 지능형 전력 포트폴리오를 한층 강화할 전망이다.

회사측은 이러한 기술들의 결합을 바탕으로 AI 데이터센터, 자동차, 산업, 컨슈머 애플리케이션 전반에 걸친 최적의 전력 시스템을 제공한다는 방침이다.

더불어 온세미의 포괄적인 저전압, 중전압 포트폴리오는 글로벌 전기화와 AI 에너지 수요가 지속적으로 급증하는 가운데 고객의 성능과 에너지 효율을 극대화하고, 전 세계 GaN 제조 역량을 확대하는데 주력하고 있다.