ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 자사 MasterGaN® 플랫폼의 장점을 기반으로 새로운 MasterGaN2 제품을 출시했다. 두 종류의 비대칭 GaN(Gallium-Nitride) 트랜지스터를 포함하는 제품으로, 소프트 스위칭과 능동 정류 컨버터 토폴로지에 최적화된 통합 GaN 솔루션을 제공한다.
650V 노멀-오프(Normally-Off) GaN 트랜지스터는 150mΩ 및 225mΩ의 온저항(RDS(on))을 갖추고 있다. 각 트랜지스터는 최적화된 게이트 드라이버와 결합돼 GaN 기술을 일반 실리콘 디바이스처럼 손쉽게 사용하게 해준다. MasterGaN2는 GaN 고유의 성능 이점과 첨단 통합 기능을 겸비해, 능동 클램프 플라이백과 같은 토폴로지의 효율성 향상과 크기 및 무게 감소 등의 이점을 더욱 증대시켜준다.
MasterGaN 전력 SiP(System-in-Package) 제품군은 두 개의 GaN HEMT(High-Electron-Mobility Transistor) 및 관련 고전압 게이트 드라이버와 함께 모든 필수 보호 매커니즘을 단일 패키지에 내장하고 있다. 설계자는 DSP나 FPGA, 마이크로컨트롤러와 같은 컨트롤러와 홀 센서 등의 외부 디바이스를 MasterGaN 디바이스에 손쉽게 직접 연결할 수 있다. 입력은 3.3V ~ 15V의 로직 신호와 호환되므로 회로 설계를 간소화하고, 부품원가(BOM)를 줄이며, 설치공간 절감과 조립이 용이하다. 이러한 통합으로 어댑터 및 고속 충전기의 전력밀도를 높일 수 있다.
GaN 기술은 고속 USB-PD 어댑터와 스마트폰 충전기의 발전을 주도하고 있다. 이러한 제품에 ST의 MasterGaN 디바이스를 사용하면 일반 실리콘 기반 솔루션에 비해 3배 더 빠른 충전속도는 물론, 크기는 최대 80%, 무게는 70%까지 줄일 수 있다.
내장 보호 기능에는 로우-사이드 및 하이-사이드 UVLO(Under-Voltage Lockout)를 비롯해 게이트 드라이버 인터로크, 전용 셧다운 핀, 과열보호 기능 등이 포함되어 있다. 9 x 9 x 1mm의 GQFN 패키지는 고전압 및 저전압 패드 간의 연면거리가 2mm 이상인 고전압 애플리케이션에 최적화되어 있다.
자세한 정보는 www.st.com/mastergan에서 확인할 수 있다.
