More

    TI, 업계 최초 제로 드리프트 홀-효과 전류 센서 출시

    고전압 시스템에서 시간 경과 및 온도 변화에도 일관되고 정확한 측정 성능 제공

    텍사스인스트루먼트(이하, TI)는 업계 최초로 제로-드리프트 홀-효과 전류 센서를 출시한다고 밝혔다. TMCS1110과 TMCS1101은 시간의 경과와 온도 변화에도 최소 드리프트, 최고 정확도, 3-kVrms 절연 기능을 제공한다.

    3-kVrms 절연 기능은 산업용 모터 드라이브, 태양열 인버터, 에너지 저장 장비와 전원 공급 장치 같은 AC, DC 고전압 시스템에서 특히 중요하다. 

    고성능 산업 시스템에 대한 수요가 지속되면서 작동 시의 신뢰성 뿐만 아니라 보다 정밀한 전류 측정에 대한 필요성도 높아지고 있다. 이는 많은 경우 보드 면적의 확대 또는 설계 복잡성으로 이어진다.

    절연과 고정밀 아날로그에 대한 TI의 전문성이 반영된 TMCS1100과 TMCS1101을 통해 엔지니어는 ▲더 길어진 제품 수명에 일관되고 정확한 측정 성능을 제공하는 시스템을 설계할 수 있으며 ▲설계 시간을 더 투입하지 않고 솔루션의 크기를 소형으로 유지할 수 있다.

    시간 경과와 온도 변화에도 드리프트를 최소화하여 시스템 성능 향상

    TMCS1100과 TMCS1101의 제로 드리프트 아키텍처와 실시간 감도 조절은 온도 변화, 장비 노화와 같은 작동 조건에서도 매우 높은 성능을 제공한다. 최대 0.45%의 온도에서 다른 자기 전류 센서보다 최소 200% 더 낮은 수준의, 업계를 선도하는 총 감도 드리프트와 0.1% 미만의 최대 풀 스케일 오프셋 드리프트로 넓은 전류 범위에서도 최고의 정확도와 신뢰성을 제공한다. 또한, 다른 자기 전류 센서보다 적어도 100% 낮은 0.5%의 수명 감도 드리프트는 시스템 노화와 관련된 성능 저하를 크게 줄인다.

    초고도 정확성을 통한 정비 횟수 감소

    또한 TMCS1100(최대 1%)와 TMCS1101(최대 1.5%)의 초고도 정확성 덕분에 디바이스의 캘리브레이션이 필요 없어, 시간 경과에 따른 장비에 대한 정비 횟수를 줄일 수 있다. 또한, 이 디바이스는 0.05%의 일반적인 선형성을 제공해, 신호 왜곡을 최소화하며 -40°C~ 125°C범위의 온도에서 정확도를 유지한다.

    8핀 SOIC 패키지의 3kVrms 절연으로 시스템 수명 연장

    TMCS1100와 TMCS1101의 고품질 구조는 그리드 연결 또는 전력 시스템의 까다로운 환경 조건과 관련된 UL(Underwriters Laboratories) 1577 표준을 준수하며 3-kVrms의 60초 절연을 제공할 수 있는 고유한 갈바닉 절연[8]을 제공한다. 두 디바이스 모두 동일한 8핀 SOIC패키지에서 경쟁사의 디바이스보다 최대 40% 높은 ± 600V 수명 작동 전압을 지원하며, 설계 마진을 높이고 디바이스 수명을 연장하기 위해 업계 표준인 UL과 VDE 조건에 따른 엄격한 테스트 절차를 거쳤다.

    유연성을 높여 다양한 설계 요구 충족과 시스템 비용 절감

    TMCS1100는 차동 측정을 위한 외부 전압 레퍼런스를 필요로 하므로, 엔지니어는 설계를 최적화해 매우 엄격한 성능 목표치를 달성할 수 있다. 반면, TMCS1101은 전압 레퍼런스를 통합해, 업계 표준의 핀투핀(pin-to-pin) 호환을 구현하면서도 높은 성능을 제공하기 때문에, 총비용은 절감하면서 설계를 단순화할 수 있다.

     

    IO-Link Wireless
    오승모 기자
    오승모 기자http://icnweb.kr
    기술로 이야기를 만드는 "테크 스토리텔러". 아이씨엔 미래기술센터 수석연구위원이며, 아이씨엔매거진 편집장을 맡고 있습니다. 디지털 전환을 위한 데이터에 기반한 혁신 기술들을 국내 엔지니어들에게 쉽게 전파하는데 노력하는 중입니다.
    K-BATTERY Show
    • hilscher
    ASI

    Join our Newsletter

    Get the latest newsletters on industry innovations.

    FASTECH
    K-BATTERY SHOW 2024

    Related articles

    전력손실 절반으로 줄인다.. TI GaN IPM 출시

    텍사스 인스트루먼트(TI)는 업계 최초로 250W 모터 드라이브 애플리케이션을 위한 650V 3상 질화 갈륨(GaN) IPM을 출시했다

    TI, 100V GaN 전력계 제품으로 국내 반도체 기업 전력밀도 지원한다

    TI는 엔지니어가 더 작은 크기의 디바이스에서 더 많은 전력을 달성하고 더 낮은 비용으로 최고의 전력 밀도를 제공하도록 지원하는 새로운 전력 변환 장치를 공개했다

    TI, 미국 유타주 리하이에 신규 300mm 반도체 웨이퍼 팹 LFAB2 착공

    텍사스 인스트루먼트(TI)는 미국 유타주 리하이에서 새로운 300mm 반도체 웨이퍼 제조 공장(팹) 착공식을 개최했다. 2026년 생산에 들어갈 예정이다.

    기자의 추가 기사

    IIoT

    FASTECH
    오토모션
    K-BATTERY SHOW 2024

    추천 기사

    mobility