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    [온세미] 데이터센터 에너지 절감을 위한 혁신 기술

    온세미, T10 파워트렌치(T10 PowerTrench®) MOSFET 제품군 및 엘리트 실리콘 카바이드(EliteSiC) 650V MOSFET 공개

    T10 파워트렌치(T10 PowerTrench®) 제품군과 엘리트 실리콘 카바이드(EliteSiC) 650V MOSFET 이미지
    온세미, 데이터센터의 에너지 효율 향상 위한 완전한 ‘전력 솔루션’ 공개

    [아이씨엔 우청 기자] 지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업인 온세미(onsemi)는 AI 워크로드로 인해 급속하게 증가하는 전력이 요구되는 데이터센터를 위한 혁신적인 전력 솔루션인 T10 파워트렌치(T10 PowerTrench®) 제품군과 엘리트 실리콘 카바이드(이하 EliteSiC) 650V MOSFET를 발표했다.

    온세미는 이번 제품과 관련해 “최신 전력 반도체 기술로 막대한 에너지 절감과 최대 10테라와트의 전력 절감 효과를 기대한다”고 밝혔다.

    데이터센터가 AI 워크로드의 엄청난 처리요구를 지원하기 위해 점점 더 많은 전력을 소비함에 따라 에너지 효율성의 증대가 무엇보다 중요해졌다. 해당 제품의 강력한 조합은 데이터센터 애플리케이션을 위해 작은 설치 공간에서도 탁월한 효율성과 높은 방열 성능을 제공하는 솔루션을 만들었다.

    일반적인 검색 엔진과 비교했을 때, AI 지원 엔진은 10배 이상의 전력이 필요하다. 따라서 전 세계적으로 데이터센터 전력 수요가 2년 이내에 약 1,000TWh에 달할 것으로 예상된다. 하나의 AI요청사항을 처리하기 위해서는 그리드로 부터 프로세서로 에너지가 4번 변환되며, 이로 인해 약 12%의 에너지 손실이 발생할 수 있다.

    데이터센터에서는 T10 파워트렌치 MOSFET 제품군과 EliteSiC 650V MOSFET 솔루션을 사용해 전력 손실을 약 1%만큼 줄일 수 있다. 해당 솔루션을 전 세계 데이터센터에 도입하면, 에너지 소비를 연간 10TWh 혹은 연간 약 100만 가구에 전력을 공급하는 데 필요한 에너지 양을 줄일 수 있다.

    EliteSiC 650V MOSFET은 뛰어난 스위칭 성능과 낮은 디바이스 커패시턴스를 제공해 데이터센터와 에너지 저장 시스템에서 더 높은 효율을 달성할 수 있다. 이전 세대와 비교했을 때, 이 차세대 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET은 게이트 전하를 절반으로 줄이고, 출력 커패시턴스(Eoss)와 출력 전하(Qoss)에 저장된 에너지를 모두 44% 줄였다.

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    Source온세미
    우청 기자
    우청 기자http://icnweb.co.kr
    아이씨엔 매거진 테크니컬 에디터입니다. 산업용사물인터넷과 디지털전환을 위한 애널리틱스를 모아서 뉴스와 기술기사로 제공합니다.
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