소형으로 설계된 회로에서 효율적으로 고속 스위칭 작업 수행
마우저 일렉트로닉스가 인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies)의 CoolGaN™ GaN(질화갈륨) HEMT를 공급한다.
높은 효율과 전력 밀도를 갖춘 CoolGaN HEMT(고속 전자 이동도 트랜지스터)는 반도체 전원 장치에서 고속 스위칭 작업을 촉진한다. 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 토폴로지에 적합한 CoolGaN HEMT는 무선 충전, SMPS(스위칭 모드 전원 장치), 전기통신, 하이퍼스케일 데이터 센터, 서버 같은 애플리케이션에서 이상적인 소자이다.
마우저 일렉트로닉스가 공급하는 인피니언의 CoolGaN HEMT는 실리콘 소재로 생산되는 스위칭 장치보다 훨씬 뛰어난 성능을 제공한다. 예를 들어 실리콘 트랜지스터보다 출력 전하와 게이트 전하가 10배 낮으며, 절연 파괴장은 10배 높고 이동도는 2배 높다. CoolGaN HEMT는 턴온과 턴오프에 최적화된 소자들로, 새로운 토폴로지와 전류 변조 기술을 바탕으로 혁신적인 스위칭 솔루션을 제공한다.
인피니언의 CoolGaN 질화갈륨 HEMT는 EVAL_1EDF_G1_HB_GAN 및 EVAL_2500W_PFC_G 평가 플랫폼의 지원을 받는다. EVAL_1EDF_G1_HB_GAN 보드는 CoolGaN 600V HEMT 및 인피니언의 GaN EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC를 갖췄기 때문에 변환기와 인버터 애플리케이션에 사용되는 범용 하프 브리지 토폴로지에서 고주파 GaN 성능을 평가할 수 있다. EVAL_2500W_PFC_G 보드는 CoolGaN 600V e-모드 HEMT, CoolMOS™ C7 골드 초접합 MOSFET, EiceDRIVER 게이트 드라이버 IC를 갖췄다.
자세한 정보는 www.mouser.com/infineon-coolgan-hemts에서 확인할 수 있다.
오승모 기자 oseam@icnweb.co.kr
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