TI, 고전력 리듐이온 배터리용 단일칩 하이사이드 FET 드라이버 출시-아이씨엔매거진

첨단 산업용 배터리 애플리케이션을 위한 새로운 차원의 유연성과 전원 보호 기능 제공

TI (대표이사 켄트 전)는 고전력 리튬 이온 배터리 애플리케이션을 위해 업계 최초의 단일 칩 100V 하이사이드 FET 드라이버를 출시한다고 밝혔다. 첨단 전원 보호 및 제어 기능을 제공하는 이 새로운 bq76200 고전압 솔루션은 드론 및 전동 툴, 전기 자전거 등을 비롯한 에너지 스토리지 시스템 및 모터 구동 애플리케이션에 많이 사용되는 배터리에서 하이사이드 N 채널 충전 및 방전 FET를 효율적으로 구동한다.

100V 하이사이드 FET 드라이버는 모터 구동 애플리케이션에서 배터리 전압이 정상 상태보다 무려 200% 이상 급격히 상승할 수 있는 유도성 과도현상이 발생할 때, 일반적인 50V 로우사이드 FET 드라이버 솔루션 보다 더 강력한 보호 기능을 제공한다. 또한 bq76200은 충전 및 방전 상태가 아닌 경우에도 지속적인 배터리 모니터링과 향상된 시스템 진단을 유지한다.

[bq76200의 주요 기능 및 장점]

· 광범위한 공급 전압 범위: 다양한 배터리 아키텍처 및 용량 호환이 가능하고, 8V ~ 75V의 전압 범위 및 100V의 절대 최대 전압을 제공한다.

· 첨단 보호 FET 제어: 고속 스위칭 기능으로 오류 응답 시간을 최소화하고 배터리의 과방전 시에는 방전 FET 작동이 중단된다.

· 빠른 개발 시간과 비용 절감: 적응형 드라이버는 충전 펌프 커패시터를 간단하게 조정하여 소량에서부터 대량의 전력 FET 어레이와 함께 사용할 수 있으므로 엔지니어링 비용을 줄이고 개발 시간을 단축한다.

· 높은 통합 및 소형 패키지 크기: bq76200은 고전압 충전 펌프와 듀얼 FET 드라이버를 단일 5mm x 4.4mm x 1mm TSSOP(thin shrink small outline package)로 통합한다.

bq76200은 bq76940 배터리 모니터링 제품군과 함께 사용할 수 있기 때문에, 하이사이드 FET 드라이브로 움직여야 하고 항상 통신을 해야 하는 애플리케이션에 적용이 가능하다. 또한 bq76200 평가 모듈과 같이 TI의 CSD19531Q5A 100V NexFET™ 전력 MOSFET을 구동할 수 있다.

파워일렉트로닉스 매거진 power@icnweb.co.kr