TI, 고전력 리듐이온 배터리용 단일칩 하이사이드 FET 드라이버 출시

첨단 산업용 배터리 애플리케이션을 위한 새로운 차원의 유연성과 전원 보호 기능 제공

TI (대표이사 켄트 전)는 고전력 리튬 이온 배터리 애플리케이션을 위해 업계 최초의 단일 칩 100V 하이사이드 FET 드라이버를 출시한다고 밝혔다. 첨단 전원 보호 및 제어 기능을 제공하는 이 새로운 bq76200 고전압 솔루션은 드론 및 전동 툴, 전기 자전거 등을 비롯한 에너지 스토리지 시스템 및 모터 구동 애플리케이션에 많이 사용되는 배터리에서 하이사이드 N 채널 충전 및 방전 FET를 효율적으로 구동한다.

100V 하이사이드 FET 드라이버는 모터 구동 애플리케이션에서 배터리 전압이 정상 상태보다 무려 200% 이상 급격히 상승할 수 있는 유도성 과도현상이 발생할 때, 일반적인 50V 로우사이드 FET 드라이버 솔루션 보다 더 강력한 보호 기능을 제공한다. 또한 bq76200은 충전 및 방전 상태가 아닌 경우에도 지속적인 배터리 모니터링과 향상된 시스템 진단을 유지한다.

[bq76200의 주요 기능 및 장점]

· 광범위한 공급 전압 범위: 다양한 배터리 아키텍처 및 용량 호환이 가능하고, 8V ~ 75V의 전압 범위 및 100V의 절대 최대 전압을 제공한다.

· 첨단 보호 FET 제어: 고속 스위칭 기능으로 오류 응답 시간을 최소화하고 배터리의 과방전 시에는 방전 FET 작동이 중단된다.

· 빠른 개발 시간과 비용 절감: 적응형 드라이버는 충전 펌프 커패시터를 간단하게 조정하여 소량에서부터 대량의 전력 FET 어레이와 함께 사용할 수 있으므로 엔지니어링 비용을 줄이고 개발 시간을 단축한다.

· 높은 통합 및 소형 패키지 크기: bq76200은 고전압 충전 펌프와 듀얼 FET 드라이버를 단일 5mm x 4.4mm x 1mm TSSOP(thin shrink small outline package)로 통합한다.

bq76200은 bq76940 배터리 모니터링 제품군과 함께 사용할 수 있기 때문에, 하이사이드 FET 드라이브로 움직여야 하고 항상 통신을 해야 하는 애플리케이션에 적용이 가능하다. 또한 bq76200 평가 모듈과 같이 TI의 CSD19531Q5A 100V NexFET™ 전력 MOSFET을 구동할 수 있다.

파워일렉트로닉스 매거진 power@icnweb.co.kr