2025년 7월 14일, 월요일

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인텔, 미래 반도체 공정 혁신에 나서다.. 차세대 트랜지스터 확장 기술 발표

오승모 기자 -
인텔은 전자소자학회(IEDM)에서 인텔의 미래 반도체 공정 로드맵을 지원할 획기적인 트랜지스터 확장 기술 및 연구개발(R&D) 성과를 발표했다.

넥스페리아, 차세대 고전압 GaN HEMT 기술을 탑재한 GaN FET 소자 발표

우청 기자 -
넥스페리아의 CCPAK1212i 상단 냉각 패키지의 33mΩ(통상) 질화갈륨(GaN) FET인 GAN039-650NTB는 와이드 밴드갭 반도체 및 구리 클립 패키징의 새로운 시대를 열었다.

인피니언, GaN Systems 8억 3천만 달러에 인수

오윤경 기자 -
인피니언 테크놀로지스가 8억 3천만 달러에 GaN Systems Inc를 인수하는 계약을 체결하고, 전력 반도체에서 GaN의 강화 전략을 제시했다.

TI GaN 기술, 라이트온 테크놀로지 서버 전원 공급 설계에 적용

오승모 기자 -
텍사스 인스트루먼트(TI)는 라이트온 테크놀로지가 북미 시장을 위한 최신 고성능 서버 전원 공급 장치(PSU)에 TI의 고집적 질화 갈륨(GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET)와 C2000 실시간 마이크로컨트롤러(MCU)를 채택했다고 발표했다.

ST마이크로일렉트로닉스, 고효율 2포트 USB-PD 어댑터 간편 설계 지원한다

오윤경 기자 -
ST가 2개의 전원 출력을 지원하는 ST-ONEMP를 출시해 고집적 절전형 USB-PD(Power Delivery) 디지털 컨트롤러인 ST-ONE 제품군을 확장했다.

TI GaN 기술, 치코니 파워 랩탑 전원으로 채택

오승모 기자 -
TI는 선도적인 전원 공급 솔루션 기업인 치코니 파워(Chicony Power)가 최신 65W 랩탑 전원 어댑터 Le Petit에 자사의 통합 질화갈륨(GaN) 기술을 채택했다고 밝혔다.

인피니언, GaN 기반 USB-PD용 고집적 콤보 컨트롤러 IC 출시

오승모 기자 -
인피니언이 새로운 XDP™ 디지털 파워 XDPS2221을 출시한다. USB-PD용 고집적 콤보 컨트롤러 IC는 넓은 입력 및 출력 전압 범위로 최대 28V 출력 전압의 고전력 디자인을 지원한다.

키사이트, 반도체용 디바이스모델링 소프트웨어 발표

오승모 기자 -
키사이트가 전체 워크플로에 걸쳐 향상된 자동화로 반도체 디바이스 모델링 엔지니어의 생산성을 높일 수 있는 반도체용 모델 생성기(MG) 환경을 새롭게 발표했다.

ST마이크로일렉트로닉스, 프랑스에 신규 300mm 제조시설 구축.. 글로벌파운드리와 공동운영

오승모 기자 -
ST마이크로 일렉트로닉스는 반도체 제조 분야의 글로벌 선도회사인 글로벌파운드리와 프랑스 크롤에 위치한 ST의 기존 300mm 공장 인근에 새로운 300mm 반도체 제조시설을 구축하고 공동 운영키로 했다

넥스페리아, 교세라와 자동차용 GaN 전원모듈 사업 협력나서

오윤경 기자 -
넥스페리아(Nexperia)가 자동차 산업에 첨단 전자 부품을 선도적으로 공급하는 교세라(KYOCERA) AVX와 자동차용 GaN(질화 갈륨) 전력 모듈에 관한 포괄적 파트너쉽을 발표했다.

NXP, 5G 커버리지 확장을 위한 매시브 MIMO용 RF 파워 트랜지스터 제품군 출시

오윤경 기자 -

로옴, 8V 게이트 내압 150V GaN HEMT 양산 체제 확립

우청 기자 -
로옴 (ROHM)는 기지국 · 데이터 센터를 비롯한 산업기기 및 각종 IoT 통신기기의 전원 회로용으로, 업계 최고 8V까지 게이트 내압 (게이트 – 소스 정격전압)을 높인 150V 내압 GaN HEMT 'GNE10xxTB 시리즈 (GNE1040TB)'의 양산 체제를 확립했다
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