인피니언, 8인치 파운드리 기반 고전압 및 중전압 CoolGaN™ 제품군 출시

차세대 GIT(gate injection transistor) 기반 650V G5 제품군.. 컨슈머, 데이터 센터, 산업용, 태양광에 적합

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 새로운 세대의 고전압 및 중전압 CoolGaN™ 제품군을 출시한다고 밝혔다. 이에 다양한 애플리케이션에서 40V부터 700V에 이르는 GaN(갈륨 나이트라이드) 디바이스를 사용할 수 있게 됐다.

고성능 8인치 인하우스 파운드리 공정으로 쿨림(말레이시아)과 필라흐(오스트리아) 공장에서 제조되는 CoolGaN 650V G5는 2024년 4분기에 공급을 시작하고, 중전압 CoolGaN G3는 2024년 3분기에 공급이 시작된다.

새로운 650V G5 제품군은 컨슈머, 데이터 센터, 산업용, 태양광 등의 애플리케이션에 적합하다. 이들 제품은 인피니언의 차세대 GIT(gate injection transistor) 기반 고전압 제품이다.

8인치 프로세스로 제조되는 두 번째 새로운 제품군은 중전압 G3 디바이스로 60V, 80V, 100V, 120V CoolGaN 트랜지스터와 40V 양방향 스위치(BDS) 제품을 포함한다. 중전압 G3 제품은 모터 드라이브, 텔레콤, 데이터 센터, 태양광, 컨슈머 애플리케이션에 적합하다.

인피니언은 “CoolGaN의 강점과 생산 용량을 더욱 확장하여, 향후 5년간 46퍼센트의 연평균 성장률(Yole Group 전망)로 성장이 예상되는 GaN 디바이스 시장에서 공급 사슬을 확고히 할 것”이라고 밝혔다.