미쓰비시 전기, 넥스페리아와 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 공동 개발한다

양사간 협력으로 실리콘 카바이드 기술 향상 기대돼

미쓰비시 전기, 넥스페리아와 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 공동 개발한다
넥스페리아, 미쓰비시 전기와 실리콘 카바이드 MOSFET 분야 전략적 파트너쉽 체결

핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아(Nexperia)가 일본의 미쓰비시 전기와 전략적 파트너십을 체결해 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET에 대한 공동개발에 적극 나선다.

반도체 분야에서 각각의 전문성을 가진 양사는 이번 협력으로 수요가 급증하고 있는 실리콘 카바이드(SiC) 와이드 밴드갭(WBG) 반도체의 에너지 효율성과 성능을 한 단계 끌어올린다는 구상이다.

미쓰비시 전기의 전력 반도체 제품군은 고객사들이 자동차, 가전 제품, 산업용 장비 및 트랙션 모터 등 다양한 부문에서 에너지를 상당히 절감하도록 해준다. 고신뢰도, 고성능 실리콘 카바이드 모듈 업계의 리더로 입증된 명성을 가잔 미쓰비시 전기의 제품들은 타의 추종을 불허하는 효율성, 안전성 및 신뢰성으로 유명한 일본의 신칸센 고속 열차에 채용되고 있다.

넥스페리아는 부품 개발, 생산 및 적격성 평가 분야에서 수십 년의 경험을 보유한 회사이다. 기본 상용 애플리케이션을 위한 실리콘 반도체의 대량 공급업체로서 신뢰할만한 명성을 쌓아온 넥스페리아는 고효율 및 신뢰성 전력 반도체의 급증하는 수요를 충족하도록 설계된 고품질 와이드 밴드갭 소자들을 제공하고 있다.

넥스페리아의 바이폴라 소자 사업부 수석 부사장 겸 총괄 책임자인 마크 로엘로프젠(Mark Roeloffzen)은 “기술적으로 입증된 실리콘 카바이드 소자 및 모듈 공급업체로서의 탄탄한 실적을 보유한 미쓰비시 전기와 이 분야 개별 소자 및 패키징 기술의 고품질 표준 및 전문성을 가진 넥스페리아는 상호 협력을 통해 긍정적인 시너지 효과를 창출해 대고객 서비스를 확대해 산업용, 자동차 및 소비자 제품 시장에서 더욱 고에너지 효율 제품을 제공할 것”이라고 말했다.

미쓰비시 전기의 반도체 및 소자 부문 그룹 사장 겸 임원인 마사요시 타케미(Masayoshi Takemi) 박사는 “넥스페리아는 고품질 이산 반도체 분야에서 입증된 기술을 보유한 업계 선두 기업이다. 양사의 탁월한 반도체 기술을 활용한 공동 개발 파트너십에 합의하게 되어 기쁘다”고 밝혔다.

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