2025년 12월 2일, 화요일
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어플라이드 머티어리얼즈, AI 성능 가속화 위한 차세대 반도체 제조 장비 공개

어플라이드 머티어리얼즈가 AI 컴퓨팅 시대를 선도할 GAA 트랜지스터, HBM, SiP 등 첨단 반도체 제조를 위한 3가지 혁신 시스템을 공개했다. ▲다이 투 웨이퍼 하이브리드 본딩 통합 시스템 Kinex는 첨단 패키징의 일관성을 높이고, ▲Centura Xtera는 2나노 이하 GAA 소스-드레인 구조에서 보이드 없는 에피택시 증착을 구현하며, ▲전자빔 계측 시스템 PROVision 10은 나노미터 이하의 해상도로 3D 칩 수율을 개선한다. 이 솔루션들은 칩 성능과 전력 효율을 극대화하여 AI 기술 로드맵을 가속화하는 핵심 동력이 될 전망이다.

GAA 트랜지스터, HBM, SiP 등 AI 칩 경쟁 핵심 3대 분야 혁신, 2나노 이하 공정 기술 로드맵 가속화

Centura Xtera 에피 시스템
Centura Xtera 에피 시스템 (image. 어플라이드 머티어리얼즈)

전 세계 첨단 반도체 및 디스플레이를 위한 재료 공학 솔루션 선도 기업 어플라이드 머티어리얼즈(Applied Materials)가 AI 컴퓨팅의 핵심인 첨단 로직과 메모리 칩의 성능을 높이는 새로운 반도체 제조 시스템을 발표했다고 발표했다. 이번 신제품들은 ▲GAA(게이트올어라운드) 트랜지스터를 포함한 최첨단 로직, ▲HBM(고대역폭메모리)을 포함한 고성능 D램, ▲고집적 ‘시스템 인 패키지(SiP)’를 구현하기 위한 첨단 패키징 등 AI 칩 개발 경쟁의 핵심적인 세 가지 영역을 목표로 한다.

프라부 라자(Prabu Raja) 어플라이드 머티어리얼즈 반도체 제품 그룹 사장은 “칩이 더욱 복잡해짐에 따라 어플라이드는 AI 확장에 필요한 성능과 전력 효율 개선을 위한 재료 공학 혁신에 주력하고 있다”며, 고객사와 긴밀한 협력을 통해 로직·메모리·첨단 패키징 분야의 주요 기술적 도약을 가능하게 하는 솔루션을 공동 개발하고 있다고 강조했다.

Kinex 시스템: 다이 투 웨이퍼 하이브리드 본딩 통합 혁신

고성능 컴퓨팅(HPC) 칩의 성능과 전력 효율을 최적화하기 위해 오늘날 첨단 GPU는 여러 칩렛을 하나의 시스템으로 결합하는 첨단 패키징 방식을 사용하고 있다. 하이브리드 본딩은 구리와 구리를 직접 접합하는 새로운 칩 적층 기술로 성능 향상과 전력 및 비용 절감을 동시에 실현하는 핵심 기술이다.

어플라이드 머티어리얼즈는 베시(Besi)와 협력하여 업계 최초의 다이 투 웨이퍼(die-to-wafer) 하이브리드 본더 통합 시스템인 ‘Kinex(키넥스)’ 본딩 시스템을 개발했다. 이 시스템은 어플라이드의 프론트엔드 웨이퍼 및 칩 가공 기술과 베시의 첨단 다이 배치 솔루션을 결합하여 하이브리드 본딩 공정의 핵심 단계를 하나의 시스템에 통합했다.

Kinex 시스템은 고정밀 본딩과 청정 환경으로 더 작은 인터커넥트 피치를 구현하며, 공정 단계 간 대기 시간을 정밀하게 제어해 본딩 일관성과 품질을 높이고 통합 인라인 계측으로 신속한 오버레이 측정과 드리프트 감지가 가능하다.

Kinex 본딩 시스템
Kinex 본딩 시스템 (image. 어플라이드 머티어리얼즈)

Centura Xtera: 2나노 이하 GAA 트랜지스터를 위한 보이드 프리 증착

최첨단 GAA 트랜지스터의 성능과 신뢰성을 결정짓는 핵심 요소는 트랜지스터 채널을 형성하는 소스와 드레인 구조이다. 소스와 드레인은 에피택시(epi) 공정으로 깊은 트렌치에 물질을 정밀하게 증착하여 만들어지는데, 기존 에피 기술은 3D GAA 트랜지스터의 고종횡비 트렌치를 균일하게 채우기 어려워 보이드(void) 발생이나 불균일한 성장을 초래하여 성능과 신뢰성을 저하시킬 수 있었다.

어플라이드 머티어리얼즈는 이러한 과제를 해결하기 위해 ‘Centura Xtera(센츄라 엑스테라)’ 에피 시스템을 개발했다. Xtera 시스템은 통합 프리클린 및 식각 공정을 포함하는 독특한 저용량 챔버 구조를 갖추어, 기존 에피 대비 가스 사용량을 50% 줄이면서도 보이드 없는 GAA 소스-드레인 구조를 구현한다.

Xtera 시스템의 혁신적인 증착-식각 공정은 트렌치 개방 영역을 지속적으로 조정하여 웨이퍼의 수십억 개 트랜지스터에서 에피 성장을 최적화하며 셀 간 균일성을 40% 이상 향상시킨다.

PROVision 10: 3D 칩 수율 개선을 위한 전자빔 계측

PROVision(프로비전) 10은 GAA 트랜지스터 및 후면 전력 전달 아키텍처를 포함한 첨단 로직 칩은 물론 차세대 D램과 3D 낸드 칩을 위해 특별 제작된 최첨단 전자빔 계측 시스템이다. 이 시스템은 업계 최초로 냉전계 방출(CFE) 기술을 적용하여 기존 TFE(열전계 방출) 기술 대비 나노스케일 이미지 해상도를 최대 50% 높이고 이미징 속도를 최대 10배 빠르게 한다.

PROVision 10 시스템의 나노미터 이하의 이미징 기능은 3D 칩의 여러 층을 투과하여 통합 다층 이미지를 구현한다. 이는 기존 광학 시스템의 한계를 넘어 디바이스에서 직접 오버레이를 측정하고 정밀한 임계 치수(CD)를 계측할 수 있게 한다.

이 시스템은 EUV 레이어 오버레이, GAA 트랜지스터의 나노시트 측정, 에피 보이드 감지 등 핵심 공정 제어 작업을 지원하여 2나노 이하 공정 및 HBM 통합에 필수적인 도구로 자리매김하고 있다.

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