넥스페리아, 프리미어급 SiC MOSFET 출시.. 미쯔비시와 파트너십

[아이씨엔 오승모 기자] 핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아(Nexperia)가 30mΩ, 40mΩ, 60mΩ 및 80mΩ R_DSon 값으로 제공되는 D²PAK-7 표면 실장형 (SMD) 패키징의 1200V 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET을 출시했다고 밝혔다.

2023년 말에 3핀, 4핀 TO-247 패키지로 출시한 2개의 개별 SiC MOSFET에 이은 후속 제품으로 출시된 이 MOSFET은 유연한 패키지 옵션에 17, 30, 40, 60 및 80mΩ의 R_DSon 값을 가진 소자들을 포함하도록 계속 출시할 SiC MOSFET 포트폴리오의 최신 제품이기도 하다.

특히, 이번 제품은 미쯔비시와의 전략적 파트너십을 통해 탄생됐다. 양사는 이 소자의 출시로 SiC 와이드 밴드갭 반도체의 에너지 효율성과 전기적 성능을 한 단계 끌어올렸다는 평가다. 또한, 계속 증가하고 있는 시장 수요에 대응해 이 기술의 미래 경쟁력을 갖춘 생산 능력을 확보하는데 성공했다고 전했다.

이 제품은 또한 전기 자동차(EV) 충전(충전 파일, 오프보드 충전), 무정전 전원 공급 장치(UPS) 및 태양광 및 에너지저장시스템(ESS)용 인버터 등 다양한 산업 응용 분야에서 점점 더 인기를 얻고 있는 D²PAK-7 같은 SMD 패키지의 고성능 SiC 스위치에 대한 수요를 해결해준다.