온세미, 초고효율 1200V IGBT 발표-아이씨엔매거진

지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업인 온세미는 업계 최고 수준의 성능으로 전도(conduction) 및 스위칭 손실을 최소화하는 새로운 초고효율 1200V 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(insulated-gate bipolar transistors, 이하 IGBT)를 발표했다고 밝혔다.

이 디바이스는 고속 스위칭 애플리케이션의 효율성을 향상시키기 위해 주로 태양광 인버터, 무정전 전원 공급 장치(UPS), 에너지 저장 장치 및 전기차(EV) 충전 전력 변환과 같은 에너지 인프라 애플리케이션에 적합하다.

온세미 파워 솔루션 그룹(onsemi Power Solution Group)의 선행개발 파워 디비전의 수석 부사장 겸 총괄인 아시프 자크와니(Asif Jakwani)는 “모든 높은 스위칭 주파수 에너지 인프라 애플리케이션에서는 효율성이 매우 중요하기 때문에, 새로운 범위의 IGBT에서 턴오프 스위칭 손실을 줄이고 최고의 스위칭 성능을 제공하는데 중점을 두었다. 이러한 업계 최고의 성능을 통해 설계자는 매우 까다로운 고전력 에너지 인프라 애플리케이션에서 가장 어려운 효율성 요구 사항을 충족할 수 있다”고 말했다.

FS7 디바이스에는 고속(S-시리즈) 및 중속(R-시리즈) 옵션이 포함된다. 모든 디바이스에는 낮은 VF, 조정된 스위칭 연성을 위한 최적화된 다이오드가 포함돼 있으며, 최대 175°C의 접합 온도(TJ)에서 작동할 수 있다. FGY75T120SWD와 같은 S-시리즈 디바이스는 현재 시장에서 사용 가능한 1200V IGBT 중에서 최고의 스위칭 성능을 제공한다.

매우 견고한 IGBT 플랫폼은 정격값의 최대 7배에 이르는 전류로 테스트되어, 동급 최고의 래치업 내성을 제공한다. R-시리즈는 전도 손실이 지배적인 모터 제어, 솔리드 스테이트 릴레이와 같은 중속 스위칭 애플리케이션에 최적화되어 있다.