핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아(Nexperia)가 두 개의 최저 클램핑 및 커패시턴스 양방향 정전기 방전(ESD) 보호 다이오드인 PESD5V0R1BxSF를 출시했다고 밝혔다.

능동 실리콘 제어 정류기능을 갖춘 넥스페리아의 TrEOS 기술을 기반으로 한 이 소자들은 노트북 및 주변 기기를 비롯해 스마트폰 등 다양한 휴대용 전자 기기의 USB4TM (최대 2 x 20 Gbps) 데이터 라인에 대해 최적의 신호 무결성을 보장한다.

넥스페리아의 제품담당 선임 매니저인 스테판 사이더 (Stefan Seider)는 “시스템업체들이 USB4TM Super Speed 라인의 삽입 손실 및 복구 손실에 대한 비용을 추가로 쓰지 않는 경향이 있다. 그러나 당사는 ESD 보호를 위한 비용이 총 비용에 미치는 영향을 최소화하는 소자로 설계 엔지니어를 지원한다”며 “엔지니어는 이러한 두 소자 옵션을 선택해ESD 전압 클램핑 (보호 수준)과 RF 성능 사이의 균형을 맞출 수 있다”고 설명했다.

낮은 클램핑에 최적화된 PESD5V0R1BDSF는 10GHz에서 -0.28dB의 매우 낮은 삽입 손실 수치와 -19dB의 낮은 복구 손실 수치를 제공한다. 이에 비해 PESD5V0R1BCSF는 10GHz에서 -0.25dB의 삽입 손실 데이터와 -19.4dB의 반환 손실 데이터를 통해 RF 성능에 최적화되어 있다. 두 제품은 모두 삽입 손실 및 복구 손실에 대한 비용이 더 제한된 애플리케이션에 이상적이다.