ST, 첨단 60V 파워 MOSFET 출시로 에너지 및 전도 효율성 강화-아이씨엔매거진

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 트렌치 기반 저전압 MOSFET인 STripFET™ F7 시리즈에 60V 디바이스를 새롭게 추가했다. 까다로운 에너지 효율성 사양을 만족시키고 전력 밀도를 최대화하는 제품으로 산업용 전원 공급 장치나 태양광 마이크로 인버터의 DC/DC 컨버터 뿐만 아니라 통신, 서버, 데스크탑 PC 등의 전원에 탑재가 가능하다.

STripFET F7 MOSFET은 전도 효율성이 좋아지고 간소화된 트렌치 게이트 구조의 스위칭 성능도 좋아졌다. 덕분에 온 저항, 정전용량, 게이트 전하가 매우 낮아서 탁월한 성능지수(RDS(ON) x Qg)를 보인다. 고유 바디 다이오드는 회복 전하(recovery charge)가 낮아서 스위칭 속도를 빠르게 한다. 애벌런치 내구성(avalanche ruggedness)이 높아서 혹독한 전기 조건에서도 탄탄한 성능을 보장하며 리버스 트랜스퍼 정전용량(reverse-transfer capacitance)과 입력 정전용량 사이의 낮은 비율(C_rss/C_iss)은 EMI 내성을 높인다.
이번 60V STripFET F7 MOSFET은 동기식 정류용에 맞도록 제작됐으며, 보다 적은 수의 병렬 디바이스로 최대 전류를 얻을 수 있어서 전력 밀도를 높이고 부품 수는 줄일 수 있다. 제품 범위는 12개의 부품 번호로 구성되며, 산업 표준 파워 패키지와 90A ~ 260A의 최대 전류(Tc = 25°C에서 실리콘 제한의 연속 드레인 전류)를 망라한다. 지원되는 패키지는 PowerFLAT™ 5×6, PowerFLAT 3.3×3.3, DPAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP 그리고 2리드 또는 6리드의 H²PAK이다.
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