2025년 8월 18일, 월요일

수볼타, IoT 및 모바일용 저전력 칩 기술 통합 가속화

수볼타, 기업 및 벤처 펀딩 1,060만 달러(약 1,113억원) 확보

저전력 고성능 IC 칩에서 확장 가능한 반도체 기술을 개발하고 있는 수볼타(SuVolta)가 IoT, DRAM, 모바일 애플리케이션에 저전력 칩 기술 통합을 가속화할 전망이다. 수볼타는 15일 후지쯔 반도체가 신규로 투자하는 등 1,060만 달러의 펀딩을 확보했다고 밝혔다.

이번 펀딩라운드에는 기존의 투자자인 KPCB (Kleiner Perkins Caufield & Byers), August Capital, NEA, Northgate Capital 및 DAG 벤처 외에 후지쯔 반도체가 새로운 투자회사로 참여했다. 수볼타는 이 자금을 이용해 DRAM, 사물간 인터넷(IoT, Internet of Things), 모바일 컴퓨팅과 같은 초저전력 애플리케이션용 반도체 직접회로(IC)의 설계 및 제조에 수볼타의 저전력 칩 기술 통합을 가속화 할 예정이다. 

수볼타의 이사회 멤버이며 NEA의 제너럴 파트너인 포리스트 바스켓(Forest Baskett)은 “우리 사회가 점점 더 인터넷으로 연결된 세상이 됨에 따라, 반도체 업계의 가장 큰 도전은 전력 소모를 줄이는 것과 비용을 조절 하는 것이다. 수볼타는 현재 새로 대두되고 있는 IoT 시장에서 중요하고 업계에서 가장 비용 효율적인 공정 기술인 벌크 평면 CMOS을 개발 함으로써 이러한 도전들을 해결했다” 라고 말했다.

후지쯔 반도체의 하루요시 야기(Haruyoshi Yagi) 수석 부사장은 “후지쯔 반도체는 컨슈머와 모바일 시장에서 에너지 효율성이 높은 제품들을 개발 하는데 전념하고 있다”며 “수볼타에 대한 투자는 두 회사간의 뛰어난 업무 협력관계와 수볼타의 DDC 기술이 여러 공정 노드에 적용할 가치가 있다는 우리의 확신을 보여 주는 것”이라고 말했다.

수볼타는 IC의 최적의 성능 및 전력소모를 가능하게 해주는 트랜지스터와 설계 기술을 개발하고 라이선스한다. 수볼타의 기술은 평면 벌크 공정 기술을 사용하여 DRAM IC는 물론, 90nm 에서 20nm 에 이르는 CMOS 기반의 로직 IC의 전력과 성능을 개선하는데 상당한 효과가 있다. DDC 기술은 설계자들이 오늘날 모바일 시스템에 중요한 프로세서, 메모리, SoC 를 포함한 여러 분야의 IC 제품군에 적용이 가능한 저전력 제품을 개발할 수 있도록 유연성을 제공한다.

아이씨엔 news@icnweb.co.kr



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