CCPAK1212 패키지로 전력 MOSFET 성능 UP.. 높은 전류 전도, 감소된 기생 인덕턴스 및 우수한 열 성능 제공
[아이씨엔 우청 기자] 핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아(Nexperia)가 JEDEC 표준화 규정에 등록된 업계 최고의 전력 밀도와 탁월한 성능을 제공하는 구리 클립 CCPAK1212 패키지의 새로운 80V 및 100V 전력 MOSFET제품군 16종을 출시한다고 밝혔다.
넥스페리아의 혁신적인 구리 클립 설계는 높은 전류 전도, 감소된 기생 인덕턴스 및 우수한 열 성능을 제공한다. 이러한 특징으로 인해 이 소자들은 모터 제어, 전원 공급 장치, 재생 에너지 시스템을 비롯해 전력 소모가 많은 애플리케이션에 적합하다.
이 MOSFET제품군은 상부 및 하부 냉각 옵션을 갖춘 CCPAK패키지로 높은 전력 밀도로 신뢰감있는 솔루션을 제공한다. 모든 소자들은 원활한 집적을 위해 JEDEC에 등록된 넥스페리아의 대화형 데이터시트로 지원된다.
벤치마크 PSMN1R0-100ASF는 460A를 전도하고 1.55KW의 전력을 방출할 수 있는 0.99mΩ 100V 전력 MOSFET이지만 기판 공간이 12mm x 12mm에 불과한 CCPAK1212 패키지 실장 면적을 자랑한다.
또한 이번에 출시된 CCPAK1212 발표에는 점점 더 강력해지는 AI 서버의 핫스왑 기능을 겨냥한 주문형 MOSFET(ASFET)도 포함된다. 향상된 SOA(안전 작동 영역)를 특징으로 하는 이 새로운 소자는 선형 모드 전환 중에 탁월한 열 안정성을 제공한다.
더구나 이번에 출시된 모든 CCPAK1212 MOSFET 소자들은 열 보상 시뮬레이션 모델을 포함해 다양한 고급 설계 도구와 함께 지원된다. 기존의 PDF 데이터시트는 넥스페리아의 사용자 친화적인 대화형 데이터시트로 보완된다.
이 데이터시트에는 엔지니어들이 각 소자의 주요 특성 뒤에 있는 데이터를 다운로드, 분석 및 해석할 수 있는 새로운 “그래프-to-csv” 기능을 포함되어 있으므로 설계 프로세스가 간소화될 뿐 아니라 설계 선택에 대한 확신도 향상시킨다.
넥스페리아는 “모든 전압 범위에서 MOSFET에 전력을 공급하고 자동차 인증 AEC-Q101 포트폴리오로 CCPAK1212 패키징을 확장할 계획”이라며, “이를 통해 가장 높은 전류 및 열 성능 요구 사항을 가진 차세대 시스템의 진화하는 기술적 요구 사항을 해결할 것”이라고 밝혔다.
