실리콘 카바이드(SiC) – 보다 효율적이고, 콤팩트하며, 지속 가능한 전원 시스템 지원
[아이씨엔 우청 기자] 마우저 일렉트로닉스(Mouser Electronics)와 온세미(onsemi)가 전력 시스템 설계를 위한 실리콘 카바이드(Silicon Carbide, SiC) 반도체의 이점을 조명한 새로운 전자책을 발간했다.
SiC 디바이스는 뛰어난 소재 특성으로 보다 효율적이고, 콤팩트하며, 지속 가능한 전원 시스템을 지원할 수 있어 전력 전자장치 분야에 혁신을 일으키고 있다. ‘지속 가능한 미래를 지원하는 SiC 전력 전자장치(Enabling a Sustainable Future with Silicon Carbide Power Electronics)’ 전자책에서 온세미는 SiC의 이점과 전기자동차 및 재생에너지 애플리케이션, 그리고 올바른 SiC 파트너 선택의 중요성 등을 다루고 있다.
이 전자책에는 NTBG014N120M3P 엘리트SiC(EliteSiC) MOSFET과 같은 온세미의 전력 제품에 손쉽게 액세스할 수 있는 링크도 포함되어 있다. NTBG014N120M3P는 전력 애플리케이션에 최적화된 1,200V의 M3P 플래너(Planer) SiC MOSFET이다. 플래너 기술은 음(-)의 게이트 전압으로 안정적인 동작이 가능하며, 게이트 스파이크를 턴오프할 수 있다. 이 디바이스는 태양광 인버터와 전기차 충전소, 에너지 저장 시스템 및 스위치 모드 전원공급장치(SMPS) 등에 매우 적합하다.
마우저에서 구매할 수 있는 NVBG1000N170M1 엘리트SiC MOSFET은 고속 스위칭 애플리케이션에 최적화된 1,700V의 M1 플래너 디바이스이다. 이 디바이스는 AEC−Q101 인증 및 PPAP 지원을 갖추고 있어 전기차(EV) 및 하이브리드 전기차(HEV) 애플리케이션에 매우 적합하다. EV 및 HEV에서 SiC 디바이스는 더 작고 가벼우면서 효율적인 전력 솔루션으로 전환할 수 있는 이점을 제공한다. 에너지 소비가 적기 때문에 고가인 배터리를 더 적게 사용할 수 있게 해준다.
NCP51705 게이트 드라이버는 기본적으로 SiC MOSFET 트랜지스터를 구동하도록 설계되었다. 전도 손실을 가능한 최저 수준으로 낮출 수 있도록, 이 드라이버는 SiC MOSFET 디바이스에 대해 허용가능한 최대치의 게이트 전압을 제공할 수 있다. 또한 턴온 및 턴오프시 높은 피크 전류를 제공하여 스위칭 손실을 최소화한다.
NCP51560 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버는 빠른 스위칭으로 전력 SiC MOSFET 전력 스위치를 구동할 수 있도록 설계되었다. 이 디바이스는 두 개의 독립적인 갈바닉 절연 게이트 드라이버 채널을 이용해, 두 개의 로우-사이드 및 두 개의 하이-사이드 스위치, 또는 데드 타임 설정이 가능한 하프-브리지 드라이버 등 어떠한 구성에도 사용될 수 있다. NCP51560은 두 개의 게이트 드라이버에 대한 독립적인 저전압 차단(under-voltage lockout, UVLO) 등 여러 중요 보호 기능도 제공한다.
마우저와 온세미의 새로운 실리콘 카바이드(SiC) 전자책은 여기(링크)에서 볼 수 있다.
