넥스페리아, 차세대 고전압 GaN HEMT 기술을 탑재한 GaN FET 소자 발표

산업용 및 재생 에너지용에 최적화해 스위칭 안정성 개선

핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아(Nexperia)는 차세대 고전압 GaN HEMT 기술을 탑재한 GaN FET 소자들을 자사의 독점적인 구리 클립 CCPAK 표면 실장 패키징으로 산업 및 재생 에너지 응용 제품 시장에 출시했다.

20년 동안 대용량, 고품질 구리 클립 SMD 패키징을 공급해 온 넥스페리아가 CCPAK의 GaN 캐스코드 스위치를 혁신적인 패키징으로 내놓게 된 것.

넥스페리아의 CCPAK1212i 상단 냉각 패키지의 33mΩ(통상) 질화갈륨(GaN) FET인 GAN039-650NTB는 와이드 밴드갭 반도체 및 구리 클립 패키징의 새로운 시대를 열었다.

지속 가능한 응용 분야에 최신 부품을 개발해온 넥스페리아의 이 기술은 태양열 및 주거용 히트 펌프와 같은 재생 에너지 응용 분야에 많은 이점을 제공한다. 또한 서보 드라이브, 스위치 모드 전원 공급 장치(SMPS), 서버 및 통신과 같은 광범위한 산업 응용 분야에도 적합하다.

넥스페리아의 CCPAK 표면 실장 패키징은 이미 업계에서 입증된 혁신적인 구리 클립 패키지 기술을 사용한 것으로 기존의 내부 본드 와이어를 대체한다. 이를 통해 기생 손실이 줄어들고 전기 및 열 성능이 최적화되어 소자의 신뢰도가 향상되었다. 이 CCPAK GaN FET는 또한 설계의 유연성을 극대화하기 위해 상단 또는 하단 냉각 구성으로 제공되어 열 방출을 더욱 개선시켜 준다.

넥스페리아의 카를로스 카스트로(Carlos Castro) GaN FET 사업부 부사장 겸 총괄 매니저는 “당사는 산업 및 재생 에너지 장비 설계자들이 전력 변환을 수행할 때 탁월한 열 효율을 제공할 매우 견고한 스위칭 솔루션이 필요하다는 것을 인식했다”며, “이를 해결해 줄 강력한 솔루션을 제공하기 위해 캐스코드 GaN FET의 탁월한 스위칭 성능을 CCPAK 패키징의 고유한 열 특성과 결합했다”고 밝혔다.

또한, 넥스페리아의 GaN 기술은 스위칭 안정성을 개선하고 다이 크기를 약 24% 줄이는 데 도움이 된다. 이 소자의 R_DS(on)는 높은 임계 전압과 낮은 다이오드 순방향 전압으로 인해 25°C에서 33mΩ(통상)으로 낮다.