TI GaN 기술, 라이트온 테크놀로지 서버 전원 공급 설계에 적용

새로운 서버 설계에 GaN 및 디지털 컨트롤러를 도입해 전력 밀도, 변환 효율, 동적 응답 및 신뢰성 개선

텍사스 인스트루먼트(TI)에 따르면, 라이트온 테크놀로지(LITEON Technology)가 북미 시장을 위한 최신 고성능 서버 전원 공급 장치(PSU)에 TI의 고집적 질화 갈륨(GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET)와 C2000 실시간 마이크로컨트롤러(MCU)를 채택했다.

새롭게 상용화된 PSU는 TI의 LMG3522R030 GaN FET과 TMS320F28003x C2000 실시간 MCU를 활용하여 95W/in³ 이상의 전력 밀도를 제공하며 80 Plus 티타늄 표준을 충족한다.

데이터 센터, 통신 장비 및 다수의 산업용 애플리케이션은 더 큰 전원 공급 장치를 필요로 하고 있으며, 시스템 크기, 무게, 환경에 미치는 영향의 축소 및 비용 절감을 요구하고 있다. 이에 따라 엔지니어는 열 성능을 향상시키는 동시에 동일하거나 더 작은 크기의 폼팩터에서 보다 높은 전력 수준에 도달할 수 있는 새로운 방법을 찾아야 하는 과제를 가지고 있다.

라이트온 테크놀로지는 미래의 전원 공급 장치를 위한 이러한 전력 밀도 문제와 요구 사항을 해결하기 위해 TI GaN 및 C2000 실시간 MCU를 활용하여 유연한 도터 카드 (daughter-card) 설계를 구현한다. 또한 이 설계 방식은 엔지니어가 설계를 다른 전원 공급 장치 요구 사항에 맞게 확장할 수 있어 프로젝트 설계 주기를 단축하는 데 도움을 준다.

회사측은 “TI GaN 제품의 강력한 성능과 C2000 실시간 MCU를 조합하면 엔지니어들은 더 작고, 안정적인 시스템에 대한 요구 사항을 더 잘 충족할 수 있다”고 말했다.