넥스페리아, 설계자에게 회로 전열 시뮬레이션 신뢰성 강화

넥스페리아(Nexperia)는 광범위한 온도 범위에서 한층 강화된 전열 시뮬레이션 결과를 보여주는 MOSFET 소자의 향상된 전열 기능 제품을 발표했다.

반도체 제조업체들은 일반적으로 MOSFET에 대한 시뮬레이션 모델을 제공하지만 이는 특정한 동작 온도에서 모델링된 소자의 일부 매개 변수만 포함한다. 이에 비해 넥스페리아의 새로운 고급 모델은 -55°C에서 175°C까지 이르는 전체 동작 온도 범위에서 모든 소자 파라미터의 열 상호 의존성을 포함한다.

이러한 고급 모델은 역다이오드 복구 시간 및 소자의 전자기 호환성(EMC) 성능을 포함하므로 전반적인 정확도가 더욱 향상된다. 따라서 엔지니어들은 실제 보드를 제작하기 전에 정확한 회로 및 시스템 수준의 시뮬레이션을 통해 전기, 열 및 EMC 성능을 평가할 수 있다.

회사측의 설명에 따르면, 그 동안 설계 엔지니어들은 본인들이 설계한 회로가 최악의 조건에서도 동작하는 지를 확인해야 했었다. 그러나 이제 특정 온도 범위에서 제품을 시뮬레이션할 수 있으므로 설계에 드는 시간과 자원을 절약하게 된 것이다.

넥스페리아가 최근 공개한 인기 있는 인터랙티브 애플리케이션 노트에 이어 발표된 이 고급 전열(Electrothermal) 모델은 ‘엔지니어를 위해 엔지니어가 설계한’ 차세대 개발 지원 도구의 최신 결정판으로서 향후 수개월 내에 출시가 계획중이다.

넥스페리아의 수석 애플리케이션 엔지니어인 앤디 베리(Andy Berry)는 “업계 최고 수준의 정확도는 이 모델이 이중 펄스 테스트 중에 실제 소자 동작을 얼마나 정확하게 예측하는 지로 입증된다. 당사와 협업했던 파트너의 응답은 이러한 모델이 지금까지 본 것 중 가장 정확한 모델임을 보여주었다.”고 말했다.