인피니언 OptiMOS 전력 MOSFET.. 더 높은 전력 효율을 향하여

인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 차세대 OptiMOS™ 소스-다운(Source-Down) 전력 MOSFET을 새롭게 출시한다고 밝혔다. PQFN 3.3mm x 3.3mm 패키지로 25V~100V의 다양한 전압대로 제공되는 이 제품은 MOSFET 성능에 있어서 새로운 기준을 제시하며, 더 높은 효율, 더 높은 전력 밀도, 더 우수한 열 관리 및 낮은 BOM(bill of material)을 제공한다.

표준 드레인-다운(Drain-Down) 컨셉과 비교해서 최신 소스-다운(Source-Down) 패키지 기술은 동일한 패키지 아웃라인에 더 넓은 실리콘 다이 탑재가 가능하다. 또한 디바이스의 전체 성능을 제한하는 패키지로 인한 손실을 줄여서, 최신 드레인-다운 패키지 대비 RDS(on)을 최대 30퍼센트까지 줄일 수 있다. 시스템 차원에서는 SuperSO8 5mm x 6mm 풋프린트를 PQFN 3.3mm x 3.3mm 패키지로 교체하면 공간을 약 65퍼센트 줄일 수 있어 폼팩터를 축소할 수 있다. 이를 통해서 남는 공간을 활용해 최종 시스템의 전력 밀도와 시스템 효율을 높일 수 있다는 설명이다.

또한 소스-다운 컨셉에서는 열을 본드 와이어나 구리 클립 대신 열 패드를 통해 PCB로 직접 소산시킨다. 그러면 열 저항 RthJC를 1.8K/W에서 1.4K/W로 20퍼센트 이상 향상시켜 열 관리를 간소화할 수 있다. 인피니언은 두 가지 풋프린트 버전과 레이아웃 옵션을 제공한다. 소스-다운 표준 게이트와 소스-다운 센터 게이트이다. 표준 게이트 레이아웃은 드레인-다운 패키지의 드롭인 교체를 단순화하고, 센터 게이트 레이아웃은 병렬화를 수월하게 한다.

회사측은 PQFN 제품에 대해서 배터리 관리 시스템(BMS)를 비롯해 모터 드라이브, 서버와 텔레콤용 SMPS, OR-ing 등의 애플리케이션에 적합하다고 밝혔다.