넥스페리아, 반도체 생산 확대에 대규모 투자 이어가

핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아(지사장. 김영택)가 유럽의 웨이퍼 팹 라인, 아시아의 반도체 조립 공장 및 글로벌 연구개발 사이트를 대상으로 향후 12-15개월 동안 7억 달러를 투자하는 대대적인 성장 전략을 발표했다.

넥스페리아는 이 새로운 투자를 통해 질화 갈륨 (GaN) 기반의 와이드 밴드 갭 반도체 및 전력 관리 IC와 같은 분야로의 연구 개발을 지원하면서 글로벌 현장에서 제조 능력을 향상시키게 된다. 이 투자는 또한 새로운 칩 설계자와 엔지니어를 확보하기 위한 채용 활동 지원도 포함한다.

넥스페리아의 최고운영책임자인 아킴 캠프(Achim Kempe) 는 “이러한 투자는 작년 상반기 이후 회복을 시작한 글로벌 반도체 시장에서 흥미로운 시기”라며 “당사는 특히 3분기와 4분기에 급격하게 늘어난 시장수요에 잘 대응해 2020년에 14억 달러의 견실한 판매실적을 달성했다. 지금까지 유지되어오고 있는 이 기세는 앞으로도 계속될 전망이다. 이에 따라 7억 달러의 투자를 통해 증가하는 고객 수요에 대응해 대량으로 제품을 공급하는 데에 필요한 기술과 제조 용량을 지속적으로 제공할 수 있게 되었다”라고 언급했다.

이러한 투자로 인해 현재 매달 35,000개 이상의 8인치 급 웨이퍼 (연간 700억 개의 반도체)를 생산하는 독일의 함부르크 팹 생산량은 2022년 중반부터 20% 증가할 것으로 예상된다. 영국 맨체스터에 있는 넥스페리아의 TrenchMOS 전용 생산 공장의 월 최대 생산량도 현재의24,000개 8인치 급 웨이퍼에서 2022 년 중반까지 10 % 증가하게 된다.

넥스페리아는 이러한 대대적 투자를 통해 아날로그 및 로직 비즈니스 그룹이 있는 네덜란드 나인메겐 소재 본사를 포함한 모든 글로벌 현장에서 실험실 및 기타 시설을 증설, 확대함으로써 연구와 개발 능력을 더욱 확대하게 된다. 넥스페리아는 이와 함께 다양한 기술 분야에서 역할을 담당할200명 이상의 인력을 자사의 글로벌 현장에서 신규로 채용할 예정이다.

넥스페리아의 이러한 투자는 전 세계에서의 성장을 통해 시장 점유율을 증가해 업계에서의 위상을 높이고자 하는 회사의 전략에 부합한다. “당사는 코로나 19 전염병이 시작되기 전에 이미 강력한 글로벌 성장 전략을 세웠었다”고, 언급한 넥스페리아의 MOSFET 및 GaN FET 사업부 총괄 매니저인 토니 베르슬루이즈(Toni Versluijs)는 “이러한 노력이 이제 성과를 내고 있으며 그 예로 맨체스터의 새로운 8인치 생산 라인에서 첫 번째 전력 MOSFET가 곧 출시될 예정이다. 반도체 업계의 회복이 계속됨에 따라 당사는 글로벌 반도체 공장과 연구 개발 시설 전반에 걸쳐 제품, 프로세스 및 인력에 대한 투자를 계속하고 있다. 이러한 지속적인 활동은 전력 반도체 부문에 대한 당사의 장기적인 전망을 반영한다”고 설명했다.