ST마이크로, 엑사간 최대 지분 인수로 GaN 사업 가속화

자동차, 산업, 컨슈머 분야의 고주파, 고전력 애플리케이션 위해 ST의 GaN 전문성, 로드맵, 비즈니스 가속화 추진

다양한 전자 애플리케이션과 고객들을 지원하는 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 프랑스의 GaN(Gallium Nitride) 혁신기업인 엑사간(Exagan)의 최대 지분을 인수하는 데 합의했다고 밝혔다.

엑사간은 프랑스 그르노블에 본사를 두고 2014년 설립됐다. 기존 전력 전자산업에서 사용하는 실리콘 기반 기술을 ‘GaN-on-Silicon’ 기술로 대체하여 보다 작고 효율적인 전기 컨버터를 구현하는데 주력하고 있다. 엑사간의 GaN 전력 스위치는 표준 200mm 웨이퍼 팹에서 생산할 수 있도록 설계됐다.

ST는 에피택시 기술 및 제품개발, 애플리케이션 노하우에 대한 엑사간의 전문성을 적극 활용하게 될 전망이다. 특히 ST는 자동차, 산업, 컨슈머 애플리케이션에 맞는 전력 GaN 로드맵과 비즈니스 확장 및 가속화가 기대된다.

업계에 따르면, 엑사간(Exagan)은 GaN에 대한 자사의 제품 로드맵을 계속 추진해 나가고, ST는 글로벌시장에서의 제품 공급에 적극나서게 된다. 최대 지분 인수에 이어, 조만간 전체 지분을 100% ST가 인수하게 될 전망이다.

“ST는 실리콘 카바이드 분야에서 강력한 모멘텀을 구축해 왔다. 이제 잠재력이 뛰어난 또 다른 복합재인 질화갈륨 분야로 확장하면서 자동차, 산업, 컨슈머 시장에 걸쳐 고객들이 GaN 기반 전력 제품의 채택을 가속화하도록 이끌고 있다.”
– 장 마크 쉐리(Jean-Marc Chery), ST마이크로일렉트로닉스 사장 겸 CEO 

ST의 사장 겸 CEO인 장 마크 쉐리(Jean-Marc Chery)는 “ST는 실리콘 카바이드 분야에서 강력한 모멘텀을 구축해 왔다. 이제 잠재력이 뛰어난 또 다른 복합재인 질화갈륨 분야로 확장하면서 자동차, 산업, 컨슈머 시장에 걸쳐 고객들이 GaN 기반 전력 제품의 채택을 가속화하도록 이끌고 있다”며, “엑사간의 최대 지분 인수는 전력 반도체 분야에서의 글로벌 기술 리더십과 함께 자사의 장기적 GaN 로드맵, 에코시스템, 비즈니스를 강화하는 또 다른 진전이다. 현재 프랑스 투르(Tours)에서 진행 중인 CEA-Leti와의 개발사업과 더불어 최근 발표된 TSMC와의 협업도 계속 추진하고 있다”고 밝혔다.

GaN(Gallium Nitride)은 실리콘 카바이드를 비롯한 와이드 밴드갭(WBG: Wide Bandgap) 재료군에 속한다. GaN 기반 디바이스는 전력 전자장치의 주요한 차세대 솔루션으로서, 고주파 동작을 제공하면서 실리콘 기반 트랜지스터에 비해 효율이 뛰어나고 전력밀도가 높아 전력 절감은 물론, 전체 시스템 크기를 줄이게 해준다.

GaN 제품은 서버, 통신, 산업용 애플리케이션의 PFC(Power Factor Correction) 및 DC/DC 컨버터를 비롯해 자동차 애플리케이션용 DC-DC 컨버터 및 EV용 온보드 충전기와 전원 어댑터 등의 개인용 전자 애플리케이션까지 다양한 분야의 애플리케이션을 지원한다.