인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 의사 공진형 플라이백(quasi resonant flyback) 토폴로지에 대한 현재 및 미래의 요구를 충족하기 위해서 경쟁 제품 대비 최대 50%까지 성능을 개선한 새로운 700V CoolMOS™ P7 제품군을 출시한다고 밝혔다. 이들 CoolMOS™ P7 MOSFET는 현재 사용되는 수퍼정션(superjunction) 기술 대비 매우 향상된 성능을 제공한다. CoolMOS™ P7 MOSFET는 향상된 폼팩터(form factor)로 제공되므로 매우 슬림한 디자인을 설계할 수 있다.
경쟁사 제품과 비교해서 700V CoolMOS P7 기술은 27%에서부터 최고 50%까지 더 낮은 스위칭 손실(EOSS)을 달성한다. 또한 플라이백 기반 충전기 애플리케이션에서 최고 3.9%까지 더 높은 효율을 달성하고 부품 온도를 최고 16K까지 낮춘다. 이전 650V C6 기술 대비 2.4% 향상된 효율과 12K 더 낮은 부품 온도를 달성한다.
내장된 다이오드는 HBM Class 2 레벨까지 ESD 견고성을 향상시킨다. 고객들을 위해서 조립공정 수율을 향상시켜 제조 시의 결함을 줄이고 궁극적으로 제조 비용을 절감할 수 있다. 또한 700V CoolMOS P7은 극히 낮은 RDS(on) Qg와 RDS(on) EOSS 로 낮은 손실을 달성한다. 경쟁사 제품뿐만 아니라 C6 제품과 비교해서, 700V CoolMOS P7은 추가적인 50V 블로킹 전압(blocking voltage) 제공한다.
이 제품은 특히 스마트폰 및 태블릿 충전기와 노트북 어댑터 같은 소프트 스위칭 토폴로지에 유용하다. 또한 새로운 CoolMOS 제품은 TV 어댑터, 조명, 오디오, Aux 전원 등 고속 스위칭 및 고 전력 밀도 디자인에 사용하기에도 적합하다.
회사측은 ”이들 제품은 사용 편의성을 염두에 두고 설계되어 3V의 VGSth와 ±0.5 V의 극히 엄밀한 허용오차를 적용하고 있어, 설계 작업을 수월하게 하고 더 낮은 게이트 소스 전압을 사용할 수 있다”고 밝히고, ”구동하기가 더 쉽고 휴지(idle) 시의 손실을 낮출 수 있다”고 전했다. 또한 700V CoolMOS P7은 매력적인 가격대 성능비를 제공하므로 가격에 민감한 시장의 고객들이 이점을 얻을 수 있다.
아이씨엔 매거진 오윤경 기자 news@icnweb.co.kr
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