금요일, 2월 21, 2025

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넥스페리아, 10BASE-T1S OPEN Alliance 규정 준수 ESD 보호 다이오드 출시

오윤경 기자 -
넥스페리아가 자동차 이더넷 애플리케이션을 위한 OPEN Alliance 규정을 준수하는 ESD 보호 다이오드 제품군을 출시했다

넥스페리아, JEDEC 표준 구리 클립 CCPAK1212 패키지를 MOSFET 적용

우청 기자 -
넥스페리아가 JEDEC 표준화 규정에 등록된 구리 클립 CCPAK1212 패키지를 MOSFET에 적용했다

넥스페리아, 자동차용 120V/4A 하프 브리지 게이트 드라이버 출시

오윤경 기자 -
넥스페리아가 채널간 지연 시간이 짧은 고성능 하프 브리지 게이트 드라이버를 출시했다

넥스페리아, 자동차 등급 인증 소신호 MOSFET 신규 출시

오윤경 기자 -
넥스페리아가 소형 DFN 패키지의 단일 및 이중 소신호 MOSFET제품들을 출시했다고 전했다

넥스페리아, 전력 소자 포트폴리오에 전자 퓨즈 추가

우청 기자 -
5G 무선 헤드와 같은 모바일 통신 인프라를 비롯해 PLC와 같은 산업자동화 장비를 보호하는데 사용된다

넥스페리아, 프리미어급 SiC MOSFET 출시.. 미쯔비시와 파트너십

오승모 기자 -
이 SiC MOSFET은 25°C에서 175°C의 작동 온도 범위에서도 RDSon의 공칭 값이 단지 38%만 증가하는 온도 안정성을 제공한다

넥스페리아, 차세대 차량용 저전압 아날로그 스위치 출시

오윤경 기자 -
넥스페리아가 1.8V 전자 시스템을 모니터링, 보호하도록 설계된 4채널 및 8채널 아날로그 스위치 시리즈를 출시했다

넥스페리아, 차세대 고전압 GaN HEMT 기술을 탑재한 GaN FET 소자 발표

우청 기자 -
넥스페리아의 CCPAK1212i 상단 냉각 패키지의 33mΩ(통상) 질화갈륨(GaN) FET인 GAN039-650NTB는 와이드 밴드갭 반도체 및 구리 클립 패키징의 새로운 시대를 열었다.

미쓰비시 전기, 넥스페리아와 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 공동 개발한다

오윤경 기자 -
넥스페리아가 일본의 미쓰비시 전기와 전략적 파트너십을 체결해 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET에 대한 공동개발에 적극 나선다.

넥스페리아, 배터리 지원 제품 위한 5V 로드 스위치 출시

오윤경 기자 -
핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아가 부하 스위치 제품군 출시를 통해 아날로그 및 로직 제품 포트폴리오를 확장한다고 발표했다.

넥스페리아, 600V 개별 소자 IGBT 출시

우청 기자 -
핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아(Nexperia)가 30A NGW30T60M3DF를 출시하고, 600V 소자 범위의 절연 게이트 양극 트랜지스터(IGBT) 시장에 진출했다.

넥스페리아, NextPower 80/100V MOSFET에 고효율 패키지 옵션 확대

우청 기자 -
넥스페리아(Nexperia)가 LFPAK56E만 제공되었던 NextPower 80/100V MOSFET 포트폴리오에 대한 패키지 옵션에 LFPAK56 및 LFPAK88을 추가한다고 발표했다.
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