넥스페리아, 자동차 등급 인증 1200V SiC MOSFET 출시

AEC-Q101 인증 D2PAK-7 패키징으로 전기차 충전·변환 효율 극대화

반도체 전문기업 넥스페리아(Nexperia)가 자동차 애플리케이션에 최적화된 1200V 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 제품군을 출시했다. 이번에 공개된 제품은 30, 40, 60mΩ의 낮은 RDS(on) 값을 갖추며, AEC-Q101 인증을 획득해 자동차 전장 부문의 신뢰성을 입증했다.

새로운 SiC MOSFET(모델명: NSF030120D7A0-Q, NSF040120D7A1-Q, NSF060120D7A0-Q)은 전기차(EV)의 온보드 충전기(OBC), 트랙션 인버터, DC-DC 컨버터 및 HVAC 시스템에 적용 가능하다. 특히, 표면 실장형 D2PAK-7 패키지로 제작돼 자동화 조립 공정에 적합하며, 기존 쓰루홀 기술 대비 향상된 열 안정성을 제공한다.

R_DS(on)은 SiC MOSFET의 핵심 성능 지표로, 온도 상승 시 전도 손실이 급증할 수 있다. 넥스페리아는 혁신적인 공정 기술을 적용해 25°C에서 175°C 작동 환경에서 R_DS(on) 증가율을 38%로 억제, 업계 최고 수준의 온도 안정성을 구현했다. 이를 통해 고객사는 높은 출력 전력을 효율적으로 처리할 수 있으며, 냉각 비용 절감 및 시스템 소형화가 가능해진다.

넥스페리아의 와이드 밴드갭 사업부 책임자 에도라도 메를리(Edoardo Merli)는 “이 제품은 경쟁사 대비 더 높은 전력 효율과 비용 절감 효과를 제공해 자동차 시장의 기술 경쟁력을 높일 것”이라며, “올해 중 17mΩ 및 80mΩ 제품의 자동차 인증 버전도 추가 출시할 예정”이라고 밝혔다.

이번 출시는 전기차 및 고효율 전력 시스템 설계에 최적화된 반도체 솔루션을 원하는 업계의 요구에 부응하며, 넥스페리아의 기술 리더십을 다시 한번 입증하는 계기가 될 전망이다.