금요일, 4월 4, 2025

TI, 우주 등급 200V GaN FET 게이트 드라이버 출시

방사선 내성·경화 기능 탑재…
위성 전력 시스템 크기·무게·효율 최적화

우주 등급 GaN FET 게이트 드라이버 애플리케이션 이미지
TI의 우주 등급 GaN FET 게이트 드라이버는 태양광 패널의 입력 전원 공급부터 전력 분배 및 변환을 포함해 위성 전력 시스템 설계에 필요한 모든 전압 범위를 지원한다 (image. TI)

텍사스 인스트루먼트(TI)는 방사선 내성 및 경화 기능을 갖춘 우주 등급 200V GaN(질화 갈륨) FET(전계 효과 트랜지스터) 게이트 드라이버를 출시했다. 이 제품은 핀 투 핀 호환 가능한 세라믹 및 플라스틱 패키징 옵션으로 제공되며, 위성 전력 시스템의 크기, 무게, 전력 효율성(SWaP)을 최적화해 더 작고 효율적인 위성 설계를 지원한다.

위성 시스템은 고해상도 이미징, 정밀 센싱, 데이터 처리량 증가 등 복잡한 요구사항을 충족하기 위해 전력 효율성이 중요해지고 있다. TI의 새로운 게이트 드라이버는 짧은 상승 및 하강 시간으로 GaN FET를 정확하게 구동하며, 전원 공급 장치의 크기와 밀도를 개선해 태양광 패널에서 생성된 전력을 더 효과적으로 활용할 수 있도록 한다.

이 제품군은 200V, 60V, 22V 세 가지 전압 레벨로 제공되며, 추진 시스템, 태양광 패널 입력 전력 변환, 위성 내 전력 분배 등 다양한 애플리케이션에 적용 가능하다. 또한, 방사선 경화(radiation-hardened) 및 방사선 내성(radiation-tolerant) 패키징 옵션을 통해 우주의 극한 환경에서도 안정적인 성능을 보장한다.

TI 우주 항공 전력 제품 사업부 하비에르 바예(Javier Valle) 제품 라인 매니저는 “이 제품군은 위성이 글로벌 인터넷 서비스 제공, 기후 모니터링 등 중요한 임무를 수행하는 데 필요한 전력 효율성을 극대화할 것”이라고 말했다.

TI는 오는 3월 18일 미국 애틀랜타에서 열리는 APEC(Applied Power Electronics Conference)에서 TPS7H6003-SP 게이트 드라이버를 선보이며, 하드 스위치 풀 브리지를 제로 전압 스위치 풀 브리지로 변환하는 방법에 대해 발표할 예정이다.


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오승모 기자
오승모 기자http://icnweb.kr
기술로 이야기를 만드는 "테크 스토리텔러". 아이씨엔 미래기술센터 수석연구위원이며, 아이씨엔매거진 편집장을 맡고 있습니다. 디지털 전환을 위한 데이터에 기반한 혁신 기술들을 국내 엔지니어들에게 쉽게 전파하는데 노력하는 중입니다.
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