TI, 우주 등급 200V GaN FET 게이트 드라이버 출시

방사선 내성·경화 기능 탑재…
위성 전력 시스템 크기·무게·효율 최적화

텍사스 인스트루먼트(TI)는 방사선 내성 및 경화 기능을 갖춘 우주 등급 200V GaN(질화 갈륨) FET(전계 효과 트랜지스터) 게이트 드라이버를 출시했다. 이 제품은 핀 투 핀 호환 가능한 세라믹 및 플라스틱 패키징 옵션으로 제공되며, 위성 전력 시스템의 크기, 무게, 전력 효율성(SWaP)을 최적화해 더 작고 효율적인 위성 설계를 지원한다.

위성 시스템은 고해상도 이미징, 정밀 센싱, 데이터 처리량 증가 등 복잡한 요구사항을 충족하기 위해 전력 효율성이 중요해지고 있다. TI의 새로운 게이트 드라이버는 짧은 상승 및 하강 시간으로 GaN FET를 정확하게 구동하며, 전원 공급 장치의 크기와 밀도를 개선해 태양광 패널에서 생성된 전력을 더 효과적으로 활용할 수 있도록 한다.

이 제품군은 200V, 60V, 22V 세 가지 전압 레벨로 제공되며, 추진 시스템, 태양광 패널 입력 전력 변환, 위성 내 전력 분배 등 다양한 애플리케이션에 적용 가능하다. 또한, 방사선 경화(radiation-hardened) 및 방사선 내성(radiation-tolerant) 패키징 옵션을 통해 우주의 극한 환경에서도 안정적인 성능을 보장한다.

TI 우주 항공 전력 제품 사업부 하비에르 바예(Javier Valle) 제품 라인 매니저는 “이 제품군은 위성이 글로벌 인터넷 서비스 제공, 기후 모니터링 등 중요한 임무를 수행하는 데 필요한 전력 효율성을 극대화할 것”이라고 말했다.

TI는 오는 3월 18일 미국 애틀랜타에서 열리는 APEC(Applied Power Electronics Conference)에서 TPS7H6003-SP 게이트 드라이버를 선보이며, 하드 스위치 풀 브리지를 제로 전압 스위치 풀 브리지로 변환하는 방법에 대해 발표할 예정이다.